通过以太无源光网的射频电视传送技术

论述了1550 nm射频电视(CATV)通道与1490 nm数据通道的相互干扰问题。针对1490 nm光波通过光纤中受激拉曼效应对1550 nm光波的非线性串扰和1550 nm光波通过粗波分复用(CWDM)分波器对1490 nm光波的线性串扰提出了理论计算公式,进行了定量分析和计算。结果表明,数据非线性串扰可使射频电视系统低频端的载噪比下跌9 dB;而在常规融锥型粗波分复用分波器情况下,射频电视线性串扰可使数据光接收机的光功率代价达到2.5dB。最后指出了克服串扰的方法,如以太空闲字符扰码和高隔离度粗波分复用等。     

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用射频等离子体增强非平衡磁控溅射在Si100基底上沉积了金属Cu膜。研究了偏压,射频功率和磁场等沉积参数对膜性能的影响。用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和电子能谱(EM)检测了膜的表面形貌,结构和成分。结果表明,射频放电有利于表面均匀光滑、电导率高的Cu沉积膜的形成;沉积参数对沉积膜的性能有重要的影响。     

简讯

上海市信息系统各行业协会积极推进“653工程”；上海市信息“653工程”办公室积极建立各委、办、局、区县及国有企业集团联络员工作制度；集成电路行业协会部署2007“653工程”培训工作。     

NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征

采用NH₃气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO：Al薄膜，从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD，场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现，处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响，其中处理温度为700℃时，薄膜具有较好的c轴择优取向，并且薄膜表面平整，结构紧密，晶粒大小均匀，无明显空洞和裂缝，具有良好的表面质量，晶粒尺寸约为40—60nm，薄膜的导电类型由n型转变为p型.     

Microstructure and properties of indium tin oxide thin films deposited by RF-magnetron sputtering

Tin-doped indium oxide （ITO） thin films were prepared using conventional radio frequency （RF） planar magnetron sputtering equipped with IR irradiation using a ceramic target of In2O3/SnO2 with a mass ratio of 1：1 at various IR irradiation temperatures T1 （from room temperature to 400 ℃ ）. The refractive index, deposited ratio, and resistivity are functions of the sputtering Ar gas pressure. The microstructure of ITO thin films is related to IR T are amorphous at the temperature ranging from 1, the crystalline seeds appear at T1 = 300℃, and the films 27 ℃ to 400 ℃.     

高精度低功耗带隙电压源设计

设计了一种集成电路中带隙电压参考源。作为IP核集成应用于单芯片集成电路中,提供与温度及电源电压无关的1.22 V电压参考基准。为克服半导体器件本身固有的温度特性,采用正负温度系数相互抵消的方法,设计实现了零温度系数的电压参考源。设计表明,在-45~125°C温度范围内,输出电压温度系数仅为7 ppm/°C,电源抑制比为-75 dB。在5 V电源电压作用下功耗电流为133μA,整个IP核芯片面积为285μm×285μm,采用0.6μm标准CMOS工艺实现。     

X射线光刻机的开发研制

X射线光刻是一种能满足大规模集成电路生产的加工技术。本文论述了X射线光刻技术的发展历史和前景，阐述X射线光刻机的光源、曝光系统、掩摸和步进驱动平台等的主要结构和研制动机，提出在X射线光刻机设计中要注意的几个主要问题。     

结型场效应管压控增益放大器及其应用

分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理，并阐明了其电路的特性和实用价值，为集成电路设计提供了理论依据。     

对集成电路布图设计立法保护模式的分析与思考

本文从集成电路立法保护的核心，布图设计立法保护的“交叉”模式以及此模式对计算机软件保护的启发意义三个方面进行了论述，并得出结论：布图设计立法保护的“交叉”保护模式适应并促进了集成电路工业的发展，同样具有“交叉”性特点的计算机软件也应当按照这种“交叉”保护模式单独创建一部单行法规。     

超高速集成电路互连线的分布电容矩阵——测度不变方程法（MEI）解

提出了以测度不变主程法结合有限差分法求厚度多导体互连分布电容矩阵的一种方法，给出了获得测度不变方程的两种途径，即使用完全格林函和全电荷格林函数对测度子积分。后一种方法可用于解决一大类实际问题，有一定的通用性。