采用0．13μm CMOS工艺开关电容Δ∑调制器的设计和实现

采用0．13μmCMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶Δ∑调制器，该调制器能够将一个中心频率为455kHz，带宽为10kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62dB的1位编码信号．在设计运算放大器时，充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求，特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数．所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm，工作电压为1．2V．与其它的同类调制器相比，由于采用0．13μmCMOS工艺进行设计，因而芯片面积小，工作电压低．     

“这里的服务远远超过我的预期——上海集成电路设计孵化基地在孵企业谈感受

今年三月迁入上海集成电路设计孵化基地的上海赞润微电子科技有限公司是一家专业从事RFID射频标签技术研究、产品开发、生产、销售以及提供相关技术支持与应用方案的高新技术企业,在基地安家后,眼见着“赞润”飞速成长起来,总经理周福泉乐在眉梢,他告诉记者——     

机器意会人类思想

在对一项技术进行的首次人体实验中，志愿者的大脑皮层将被植入集成电路块，这种技术可使人单靠思想就能够控制机器。     

Taurus workbenchyong用于IC制造加工工艺的实验研究

介绍了集成电路虚拟工厂系统Taurus Workbench.并基于CMOS工艺的特点,在Tau-rus Workbench环境下进行了亚微米级n沟器件的核心参数优化实验研究,结果印证了集成电路虚拟工厂技术为工艺优化提供了便捷有效的方法.     

射频网络频率特性分析仪

利用对数运算放大器、高速直接数字合成器、微控制器和CPLD等技术设计成结构新颖的数字化频率特性分析仪,频率扫描范围100kHz~400MHz,测量结果可在液晶屏上显示并通过RS232接口送到外部计算机.     

射频激励等离子体非线性效应的FDTD数值模拟

在考虑热运动、电子复合、扩散等效应后，建立电磁波与等离子体相互作用模型，验证了射频激励等离子体时产生的二次、多次谐波以及各个不同频段信号的调制现象，得到了不同激励功率、产生电子的电场阈值、电子能量等参数对电磁波频谱的影响，这对于射频激励等离子体的电路匹配、耦合器件以及等离子体天线传输、电磁兼容等设计很有帮助. 关键词： 射频 谐波 等离子体 非线性     

p型ZnO薄膜的制备及特性

采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜，通过离子注入对样品进行N掺杂，在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征，结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向，退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×10¹⁶cm^-3和41.5Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.     

微电子技术的现状与未来发展

分析传统集成电路的发展现状,传统集成电路进一步发展将会遇到的问题,介绍可能的解决方案及微电子技术的新发展方向。