分离作用RFQ膜片电极的优化设计

用RELAX3D模拟分离作用射频四极场(SFRFQ)加速结构中傍轴下的电场分布，并分析了膜片孔径、加速间隙等参数对粒子能量增益的影响，找到了设计SFRFQ电极的一般方法，使得在极间电压为70kV的情况下(以O⁺为例)，粒子通过一个周期单元，可获得100keV以上的能量增益，小球微扰法的测量值与模拟结果能很好的符合. 关键词： 分离作用射频四极场 RELAX3D 能量增益 反场     

退火对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响

采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜的晶粒尺度和发光光谱的影响。XRD结果显示退火可以改善ZnO薄膜的结构特性,PL谱结果显示退火对ZnO薄膜的发光强度产生很大影响。     

政策集锦

发布2007年度国家规划布局内重点软件企业名单 为贯彻落实国务院颁布的<鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策>(国发[2000]18号),鼓励并推动骨干和重点软件企业加快发展,根据<国家规划布局内重点软件企业认定管理办法>(发改高技[2005]2136号),经研究,国家发展改革委、信息产业部、商务部、国家税务总局联合审核认定了2007年度国家规划布局内重点软件企业(名单附后),现予以公布.     

厦门市高新技术企业经济运行情况分析（2007年度）

2007年．厦门市高新技术企业发展与全市规模以上工业企业发展情况相一致，实现总产值1676．09亿元．占全市规模以上工业总产值的61．3％，保持经济发展主力军地位。光电子、生物与新医药、集成电路、射频识别等新兴产业发展势头继续向好。2008年开始实施“两税合一”后，高新技术企业将按高标准新办法重新认定．全市高新技术产业的主要指标将发生很大变化。     

一种新型低失真频率可调正弦振荡器的设计

在传统的振荡电路中，为了得到稳定的振荡输出，其环路增益的调控是依靠器件的非线性来实现，因此这类振荡器很难产生谐波失真很小的纯正弦波。本文给出的振荡器，采用ＡＧＣ技术调节环路增益，从而可以克服这一不足之处，同时它还具有频率可调，集成电路外围元件少的特点。     

X光激光薄膜锗靶的制备

 介绍了X光激光薄膜锗靶的制备工艺，在厚度为90nm的formvar膜上，采用磁控溅射技术沉积30~60nm厚的锗膜。对锗膜的应力进行了初步的测试与分析，制得的薄膜经干涉仪测量符合要求。     

综述载波带宽的选择与射频光纤传输系统功率预算

本文通过针对现代无线通信系统中一种射频光纤传输系统的设计.并从CNR的角度考虑系统的载波带宽选择问题,对其功率预算问题进行理论推导与分析。     

等离子体蚀刻多晶硅深沟道研究

等离子体蚀刻硅深沟道用作存贮器件的储存电容有非常重要的作用,就等离子体在微电子制造领域中蚀刻二氧化硅,多晶硅的原理和如何控制形状(profile)和深沟道的深度做了研究,解释了HBr,NF3,He_30%O2气体,压力对蚀刻速率,Si/SiO2蚀刻选择比的影响.结果表明:蚀刻率随HBr流量的增大而增大,压力和侧壁保护气体He_30%O2控制着整个蚀刻图形.