应用于空基相控阵雷达的新型功率器件一-SIC 射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境，对4H—SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比，这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型，这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析，与实验结果符合较好。     

Ge量子点材料的制备工艺研究

采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.     

光敏电阻的SPICE瞬态分析子电路模型

研究了一种应用ＳＰＩＣＥ（集成电路通用模拟程序）现有元器件条件，模拟含有时变器件电路的技巧。应用多项式逼近光敏电阻随发光强度变化曲线，将其转换为光敏电阻随时间变化曲线，结合受控电压源，产生ＳＰＩＣＥ程序描述的光敏电阻子电路模型。该方法可实现对含有时变电阻电路的ＳＰＩＣＥ瞬态分析。分析结果表明，光敏继电器开关电路的输出电压曲线与实际要求相吻合。这一方法同样适用于分析含有随时间、发光强度、温度等物理量连续变化的非线性电容电感元件电路。     

CCⅡ实现的全集成MOSFET－C连续时间滤波器

利用Ｃｚａｒｎｕｌ提出的ＭＯＳ电阻电路（ＭＲＣ）、Ⅱ型电流传送器（ＣＣⅡ）和电容Ｃ，构成了实现高阶连续时间滤波器的各种基本积木块──理想积分器、阻尼积分器及加权相加器等；其中由笔者首次给出基于ＣＣⅡ和ＭＲＣ的可集成阻尼积分器和加权相加器，并用所构成的基本块实现了一个基于ＣＣⅡ的通用二阶ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间滤波器．这种滤波器不仅与基于运放的ＭＯＳＦＥｔ－Ｃ连续时间滤波器一样可以单片集成化，而且比后者具有更优越的高频性能．     

一种集成电路布图设计的图形编辑系统

本文介绍一种适用于集成电路布图设计的图形编辑系统及其在16位微机 CAD 工作站上的实现。系统采用摸块化的程序结构,具有图形输入,图形修改和图形显示输出等功能。通过用一些集成电路布图设计的结果对系统进行运行,结果表明系统性能稳定,其功能满足布图设计的一般要求。     

单工移动通信系统间的射频干扰数学模型

为了进行移动通信系统间的电磁兼容性(EMC)分析,本文设定了同波道干扰、邻道干扰、发射机互调和接收机互调干扰的数学模型,这些模型适用于机助频谱管理和陆上移动通信工程。     

不等间距不等宽度端口的通道布线算法

本文提出了一种适用于标准单元具有不等间距和不等宽度端口时的通道布线算法。该算法在垂直约束图和重迭区表示图的基础上，对线网进行分析和权重计算，优选线网加以布线。通过若干实例运算表明，该算法通过若干实例运算表明，该算法是一种有效和实用的算法。     

集成电路逻辑测试与验证基础技术研究

集成电路是电子工业的粮食，是信息产业的基础。集成电路技术迅速发展创造出巨额效益，大幅度提升了人们的生活品质。据统计，现代城市家庭平均拥有20块集成电路：电冰箱、洗衣机、微波炉、照相机、摄像机、移动电话、家用电脑、家用轿车等等无处不在。集成电路的质量关系到千家万户。     

基于CMOS工艺的中小规模数字集成电路设计浅析

CMOS工艺作为一种超大规模集成电路工艺已成为数字集成电路设计的首选工艺。与大规模数字系统设计不同的是，为了减少版图面积，节约成本，中小规模数字集成电路常采用晶体管级电路仿真和手工布局布线的设计方法。章探讨了利用CMOS互补逻辑设计中小规模数字集成电路的电路结构化简方法，介绍了设计数字集成电路版图布局布线的几点体会。     

用射频低温氧化法去除未熟烃源岩中的有机质方法研究

利用GP02-A高频感应加热设备产生高频磁场，等离子体在高频磁场中激活氧气形成活性氧，活性氧在低温低压下氧化烃源岩中的有机质，从而达到去除有机质并确定其含量的目的。采用射频低温氧化法对我国7个盆地未熟烃源岩进行了有机质去除的实验，结果表明，在最佳条件下用20-40h可把未熟烃源岩中的有机质去除，我国7个盆地未熟烃源岩中有机质的质量含量为1．53％～3．17％。