二极管激光器阵列封装工艺对smile效应影响因素分析

Smile效应是限制二极管激光器阵列应用的一个重要因素。研究了激光器封装工艺对smile效应的影响,研究结果表明,造成smile效应的因素主要有两个：一是焊接过程中芯片的焊接压力不均匀;二是芯片与热沉的热膨胀系数不匹配。使用低膨胀系数的压条可以改善焊接过程中芯片压力的均匀性,而增大焊料凝固过程中的降温速率可以降低芯片与热沉的收缩量的差距,这两种方法都有利于改善smile效应。最后通过实验结果证明了以上方法在实际操作中是可行有效的。     

ZIP9封装的电子器件散热器ANSYS分析

根据ZIP9封装的电子器件的外形结构及尺寸大小设计了条形齿和墩形齿两种散热器模型,然后利用ANSYS有限元分析软件进行建模,并分别作仿真分析,得到了两种模型的温度场分布,进而作了比较分析,得出了优化的设计结果.最后还分析了底板在一定的情况下齿的行数多少对散热性能的影响,并得到散热器综合性能最佳时的齿的行数为7或8行的结论.     

甲基四氢苯酐的制备新工艺

<正>甲基四氢苯酐(MTHPA)是电子信息材料、医药、农药、树脂、国防工业方面的重要中间体.它具有低熔点、低毒、低挥发性等特点,使用方便,与环氧树脂的反应活性高、混溶性好,使用该固化剂的环氧树脂固化物的电气绝缘性能和机械性能优良.近年来,随着电机、电子、电器行业对绝缘性能可靠性要求的不断提高,该类固化剂的应用发展迅速,具有较好的市场前景.世界年产量3万吨,产值超过3亿元,且每年以16%～20%的速度增长.它们主要用于环氧树脂高档     

浅析IPv6网络安全性

本文分析了目前网络上存在的一些安全问题,以及IPv4在这些问题面前的脆弱性;阐述了IPv6为解决网络安全问题而采用的机制,IPv6当前无法克服主要是窃听、应用层攻击、非法设备、Man-In-Middle等。     

用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术

对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。     

基于细观力学方法的底部充填封装芯片接合层的热应力计算

底部充填是一种用来提高电子产品在恶劣环境下工作的稳定性及可靠性的技术,是电子制造产业的常用方法．本文基于细观力学方法建立了计算底部充填封装芯片热应力的方法．针对底部充填封装芯片焊锡-充填物接合层的结构特点,我们建立了接合层的均一化模型,并从理论上推导了接合层的等效弹性常数、热膨胀系数和导热系数．运用该均一化模型,我们对封装芯片工作产热导致的热传导和热应力问题进行了有限元数值模拟,计算的结果与接合层未均一化的模型具有较好的一致性,而计算效率极大提高,显示了该方法在计算底部充填封装芯片热应力方面的可行性．     

锗-硼硅玻璃局部加热低温封接温度场研究

在光学读出非制冷红外热像仪焦平面阵列(FPA,Focal Plane Array)真空封装结构中,硼硅玻璃和双面镀增透膜的锗片分别作为透可见光和透红外光的窗口材料.由于锗窗上增透膜不能承受高温(<250℃),同时FPA也不能承受高温(<100℃),因此封装过程须在低温下进行,并对锗窗上的增透膜及FPA进行保护.本文提出了一种用于锗-硼硅玻璃低温扩散焊接的局部加热方法.该方法从导热系数较大的锗窗外表面加热(200℃),而导热系数较小的硼硅玻璃窗口外表面维持低温(60℃).有限元模拟计算结果表明,该加热过程稳态情况下待焊接区域温度约200℃,满足低温焊接的温度要求.锗窗上温度(200℃)低于250℃,且FPA区域的温升在75℃以下.用实验方法对模拟结果进行了验证,实验结果同模拟结果一致,证明该方法能够有效地保护FPA及锗窗上的增透膜.     

外壳镀覆缺陷分析及解决措施探讨

对外壳镀金后常见的缺陷,如:瓷件金属化起泡、银铜焊料起泡、引线/焊环起泡、钨铜起泡、外壳镀层变色等进行了研究.采用扫描电镜和高倍显微镜对缺陷形貌进行了观察,并通过能谱分析对缺陷处元素进行了研究.通过对缺陷的分析,结合实际生产经验,提出了相应的解决办法.     

产学研加速我国第一台RFID标签封装装备产业化

由华中科技大学、东莞华中科技大学制造工程研究院（以下简称东莞工研院）、武汉华威科智能技术有限公司（以下简称华威科）、中山达华智能科技股份有限公司（以下简称中山达华）共同完成的“高性能无线射频识别（RFID）标签制造核心装备”获得2013年度国家技术发明奖二等奖。