高分子链的分子轨道计算 聚腈能带结构

本文是用以晶体周期性边界条件简化LCAO—MO方法计算聚腈分子的能带结构。计算结果表明能级E(k)是波矢量k的多值函数。禁带宽度Eg=/α_C-α_N/计算证明聚腈具有半导体性能。     

单壁碳纳米管的电子速度及有效质量

利用单壁碳纳米管(SWCNTs)能量色散关系, 计算了最低导带的电子速度和有效质量, 重点讨论了SWCNTs中最低导带电子速度和有效质量与波矢及管径大小的关系. 结果表明, 半导体型锯齿SWCNTs的电子速度和有效质量与其结构参量(管径)有直接的关系. 各种椅型SWCNTs(金属型)和金属型锯齿SWCNTs最低导带电子速度和有效质量随波矢的变化规律分别相同, 各种半导体型锯齿SWCNTs最低导带电子速度和有效质量随波矢的变化规律则有明显差别. 这意味着在低偏压下, 不同管径的椅型SWCNTs和金属型锯齿SWCNTs输运性能相同, 而各种不同管径半导体型锯齿SWCNTs输运性能有明显差别.     

数码印花技术——数码印花设备应用技术比较分析

数码印花作为一种新型环保的印染技术,其低能耗、无污染的生产特点,是纺织生产的一次革命。现今,许多只使用数码印花系统的新型企业已经出现。数码印花设备应用技术作为实现花型设计在面料上呈现的手段,直接影响最终打印产品的质量。本文以两种国内市场广泛使用的数码印花设备(导带印花设备及喷射印花设备)为例,详细介绍其操作过程并进行比较分析,为实际操作提供理论基础。     

ZnIn2S4薄膜喷雾热分解制备及其光电化学性质

以ZnCl2、InCl3·4H2O和(NH2)2CS为原料,采用喷雾热分解方法在ITO玻璃上制备了高质量的ZnIn2S4薄膜,使用X射线衍射仪、扫描电镜和分光光度计对制备的薄膜进行了结构、形貌和光学性质的表征,利用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对制备的立方相ZnIn2S4进行了能带结构计算,并采用锁相放大技术研究了ZnIn2S4电极的光电流作用谱图.结果表明:使用喷雾热分解方法能够制备结晶完好、无针孔的ZnIn2S4薄膜,制得的薄膜呈立方相,在可见光区(λ＞420nm)有很好的光吸收;薄膜为间接带隙半导体,价带最高轨道由S3p In5p构成,导带最低轨道由S3p In5s轨道构成,作为光电极使用可有很好的光电化学响应,在0.1 mol/L Na2SO3和0.1mol/L Na2S的混合电解质溶液中,0.3 V电极电势下400 nm处的光电转换效率(IPCE)达到了30%以上.     

新型电力传输材料——REBaCuO高温超导涂层导体

REBaCuO(简写为RE123,RE=Y,Gd等稀土元素)高温超导涂层导体也称第二代高温超导(2G-HTS)带材,通过柔性金属基带上的薄膜外延和双轴织构技术发展而来,解决了陶瓷性铜氧高温超导体的晶界弱连接和机械加工难等问题,是当前液氮温区运行下电磁性能较为优越的实用高温超导材料。文章首先对新型电力传输材料——高温超导涂层导体的各类技术路线和国内外发展现状进行概述;随后对低成本的化学溶液法2G-HTS长带的关键制备技术和当前进展进行介绍;最后针对强磁场和大电流应用背景,对REBaCuO涂层导体的磁传输各向异性、磁通钉扎及其人工调制等最新研究进展进行评述。     

实用化Bi系超导带材的制备工艺研究进展

超导材料具备优异的电学和磁学性能,具有很大的发展前景.目前应用最多的是NbTi和Nb3 Sn两种低温超导材料,但是其需要在4.2 K超低温下(液氦制冷)使用,成本高昂.Bi-2223的临界超导温度高达110 K,液氮制冷就可以使用,展现出良好的实用价值.Bi-2223是一种层状结构的化合物,常被制备成带材,使层面方向平...     

Instanton Induced Charged Fermion and Neutrino Masses in a U（3）c × U（3）L × V（3）a Gauge Symmetry

Using instanton effects, we consider a U（3）c × U（3）L × U（3）R gauge symmetry obtained from intersecting D6-ranes. This is equivalent to the trinification model extended by the three U（1） factors that survive as globM symmetries in the low energy effective model. In the corresponding three-stack, the fermion masses are induced by the possible stringy corrections to the corresponding superpotential by using E2-instantons. Using the known data with neutrino masses mvr-1 eV, we show the magnitudes of the relevant scales.     

Y系超导螺管储能磁体的优化设计

磁体结构的好坏将直接关系到磁体的制造成本以及磁体能否正常运行．在磁体结构的优化设计中，选定磁体的体积为目标函数，在满足磁体储能，符合超导材料的B～J特性，尽量减小漏磁等条件下，使目标函数达到最小．文章选定新一带超导涂层导体Ⅵ瑚为SMES线圈的制造材料，分析了Y系带材的材料特性，并采用大型有限元仿真软件ANSYS和磁体优化中常用的算法-模拟退火算法（simulated annealing）对SMES线圈进行优化仿真分析．得出最优的磁体结构．     

LiYF4：Ce^3＋晶体的电子结构和f→d电子跃迁谱

利用相对论从头目恰计算DV—Xa(离散变化Xa)程序计算LiYF4：Ce^3 晶体的电子结构和f→d电子跃迁谱。分别用镶嵌于微晶(含1938个原子)中的团簇Y5Li8F24和CeY4Li8F24模拟基质和掺杂晶体。基态计算表明Y-4p和Ce-5d共同组成了导带，Ce^3 的最低5d能级Ed在BCB(导带底部)附近，而其最低4f能级较BCB低2．5eV。即使对低于BCB的能级Ed，其波函还含有24％的Y-4p和9％的F-2p。这可能就是文献[3]采用纯5d波函数进行晶场拟合不十分成功的原因。而关于f→d跃迁，本文采用过渡态(使单电子跃迁的初末态各占据一半电子)计算去获得各4f→5d跃迁能Efd。Ce^3 的离子半径比Y^3 的大。作为晶格畸变的近拟模拟，让最近邻和次近邻的8个氟离子同时沿径向向外移动，结果发现：向外畸变4．56％的CeY4Li8F24团簇有最低的总能，且由此算出与实验十分符合的5个Efd能级，但是其基态计算的能级Ed比BCB高0．68eV；对于另外一个畸变7．36％的团簇，虽其Ed比BCB低0．43eV，使仅观测到最低f→d带的精细结构(包括零声子线)的实验较易理解，但其计算的各Efd能量分裂不如前者。因此，畸变应在4．56％-7．36％左右。     

GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.