200AGeVpp、pS和SS碰撞中单奇异粒子产生数据的分析

用相对论性核-核碰撞的蒙特卡罗事件产生器──LUCIAE,分析了200AGeVpp､pS和SS碰撞中单奇异粒子产生的实验数据.结果表明:SS中心碰撞相对于pp或pS最小偏畸事件,似乎有更强的末态相互作用,更短的奇异粒子产生时间,和更大的奇异粒子对压低因子. 从pp到pS再到SS奇异增强的实验事实,似乎不必引入夸克-胶子等离子体就能得到解释.     

颗粒增强复合材料热应力分析的双层嵌套模型

建立了一个把增强颗粒球和基体空心球嵌入等效复合介质空腔中的“双层嵌套模型”,研究了颗粒增强材料自高温冷却下来时,不同相中热应力的分布特点。推出了热应力在弹性和弹塑性状态的各种表达式。研究表明,随着温度降低,增强体受到压应力,基体材料中存在的静水应力为拉应力。温度继续下降,将出现自增强颗粒与基体界面向外扩展的屈服区。随增强相体积分数增大,增强颗粒受到的压应力和基体中的静水拉应力减小,增强颗粒与基体界面屈服的起始温差增大,而基体材料全面屈服的温差却减小。     

高动态范围微通道板

导出微通道板动态范围的表达式,给出提高动态范围的几种可行途径,简要介绍一种高动态范围微通道板的主要特性。     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.     

一种基于增强现实的室内漫游系统

提出了一种基于增强现实的室内漫游系统,在这个系统中用户通过HMD观察增强的视景。在这个视景中不但包含真实布景的图像,还包含有计算机生成的虚拟物体的图像。为了实现虚实场景之间的注册,在HMD上安装有两个摄像机:场景摄像机与跟踪摄像机。并且在用户所在房间的顶部安装了一系列的红外标志点,这些标志点的图像由跟踪摄像机获取,并通过位置估计算法计算用户头部的位置和姿态。另外,通过一对安装有ARtoolKit标志点的手套,实现用户与虚拟环境之间的交互。最后,一套海底漫系统被开发出来,以验证整个漫游系统的可用性     

现场拉曼光谱研究乙腈在金电极上的解离吸附行为

利用共焦显微拉曼系统、结合合适的电极表面粗糙方法研究了非水体系 0 1mol/LLiClO4 /CH3CN溶液中 ,乙腈分子在金表面的吸附和解离行为。结果表明非水体系中乙腈可在金表面发生还原反应 ,产物CN- 离子与电极表面作用形成的表面配合物可在较宽的电位区间吸附于电极表面。溶液中的微量水、激光照射以及电极电位均对该反应有较大的影响。通过拉曼谱图的比较得出乙腈分子解离出的CN- 在金电极表面比在银电极表面有更强的吸附作用。     

红外小目标与背景辐射对比度的研究

红外目标与背景的对比度特征是红外探测系统检测的重要特征。研究了目标和背景在探测器上的辐射照度,提出了一种红外小目标与背景的辐射对比度,分析了该目标与背景对比度的相关因素。     

MeV Pb离子在非晶Si中的射程离散──离子束混合和增强扩散的影响

１．０ＭｅＶ２０８Ｐｂ离子在非晶Ｓｉ中的投影射程ＲＰ和射程偏差ΔＲＰ作为注量和温度二者的函数用背散射法进行测定．注量的变化范围为５×１０１３～７×１０１４ｃｍ－２．注入是在室温和ｔ＝－１２０℃下完成的．由由实验所确定的投影射程，射程偏差与注量或温度无关，并且分别等于２９５和７２．２ｎｍ．与ＴＲＩＭ８６的计算结果相比较，发现ＲＰ的偏离为１８％，而ΔＲＰ的偏离为３６％．ＲＰ和ΔＲＰ二者与注量及温度的无关性，排除了所观察到的与ＴＲＩＭ的矛盾是由于注入期间辐射增强扩散或离子束混合效应而引起的解释。