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81.
邸冰  王亚东  张亚琳 《物理学报》2013,62(10):107202-107202
基于一维紧束缚的Su-Schreiffer-Heeger模型, 采用非绝热动力学方法, 研究了链间耦合对聚合物中极化子对非弹性散射性质的影响: 激子的产生依赖于链间耦合, 随着耦合强度的增加, 正负极化子对的电子波函数交叠增强, 利于提高激子的产率; 当耦合区域是极化子的宽度时, 正负极化子对波函数的耦合最充分、耦合最强, 电荷跃迁更容易, 激子产率最大. 关键词: 聚合物 极化子 激子  相似文献   
82.
对规范粒子的极化矢量做了较为系统的论述. 讨论内容包括极化矢量的具体形式和性质、求和规则和规范传播子之间的关系以及由其张成的投影算子的性质. 通过若干精选的例子, 进一步演示了计算牵涉规范粒子的过程时采用的基本方法和应当注意事项.  相似文献   
83.
任俊峰  张玉滨  解士杰 《物理学报》2007,56(8):4785-4790
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性,从自旋扩散理论和欧姆定律出发,得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现,极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子,即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响. 关键词: 自旋电子学 自旋注入 有机半导体 极化子  相似文献   
84.
葛全文  林忠  王瑞利 《计算物理》2007,24(5):526-532
纯拉氏流体力学计算失败的根源是砂漏运动和虚假涡旋,运用子网格拉氏质量与其相关的子网格密度得到子网格压力,子网格压力产生的扰动隅角力能消除这些虚假运动,以便消除困扰拉氏流体力学算法的网格畸变带来的数值计算困难.将包括子网格压力的相容流体算法推广到非结构网格,研制包括非结构子网格压力的相容流体程序,对Saltzman活塞问题进行数值模拟,从数值结果分析可知,非结构子网格压力方法能抑制虚假涡旋,消除砂漏畸变.  相似文献   
85.
We study the moving compacton-like kink in the system of a purely anharmoinc lattice with symmetric onsite poential by a direct algebraic method.It is found that the localization of the compactons is related to the nonlinear coupling parameter Cnl and the potential barrier height V0 of the double well potential,and the velocity of the propagation of the compacton is determined by the localization parameter q and the potential barrier height V0.Numerical calculation results demonstrate that the compacton is stable when it moves along the lattice chain.  相似文献   
86.
87.
多孔硅拉曼光谱随激发功率变化的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
白莹  兰燕娜  朱会丽  莫育俊 《光学学报》2005,25(12):712-1717
用阳极氧化法新制备了多孔硅样品,以457.5nm固体激光器为激发光源,在不同激发功率下,获得了拉曼谱图和一些谱峰参量随激光功率的变化关系。解释了520cm^-1和300cm^-1附近拉曼峰随功率变化的一系列可逆的实验现象:随激光功率升高出现的红移和非对称性展宽,主要是由于样品局域平均粒径变小而受量子限域效应的影响导致的;样品局域平均粒径在表面上的二维减小与随激光功率升高而导致的局域温升并不违背基本的热力学定律;高功率时520cm^-1附近双峰的出现是由于多孔硅样品局域平均粒径达到一定阈值而导致的纵模和横模双声子模的分裂。  相似文献   
88.
 我们知道,在金属中散射作用是电阻产生的主要原因,这包括杂质散射和晶格热运动引起的电声子互作用。根据动量定理,电子在时间间隔△t内受到电场E的作用而产生的定向漂移速度.  相似文献   
89.
90.
刘炳灿  李华  严亮星  孙慧  田强 《物理学报》2013,62(19):197302-197302
本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词: 分数维方法 极化子 GaAs薄膜  相似文献   
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