直接键合的三结太阳能电池研究

本文研制了直接键合的三结GaInP/GaAs/InGaAsP太阳电池.直接键合技术可以减少晶格不匹配的材料在外延生长过程中产生的线位错和面缺陷,将缺陷限制在界面几十纳米的薄层而不向内扩散,是未来实现高效多结电池的发展趋势之一.此类电池国内鲜有报道.本文键合三结电池的键合界面采用p+GaAs/n+InP结构,得到电池开路电压3.0 V,在电池结构没有优化的情况下获得效率24%,表面未做减反膜.开路电压表明三结电池实现了串联,为单片集成的高效多结电池提供了新的途径.对实验结果进行了分析并给出了改进措施.     

Bi2Ba2Nd1.6Ce0.4Cu2O10＋δ的调制结构

用选区电子衍射研究了新合成的铋系铜氧化物Ｂｉ２Ｂａ２Ｎｄ１．６Ｃｅ０．４Ｃｕ２Ｏ１０＋δ观察到了不寻常的调制结构：ｑ＝０．１１４ａ＋０．１１４ｂ．用键长失配和氧插讨论了调制结构的起因。指出键长失配的加重也导致调制周期的增加。     

InGaAsP／InP异质结构材料组分,结构的准确测定与综合分析

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构金属有机化学蒸发沉积（ＭＯＣＶＤ）外延晶片作了表面元素组分定性、定量和深度分布分析。将其组分定量数据代入带隙经验公式，发现带隙的计算与用光压谱（ＰＶＳ）实验值十分吻合；但是代入晶体常数经验计算公式计算得到的失配率与由Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率却有明显差别。抽检的两个外延晶片的ＸＰＳ元素分析和元素的深度分布分析，以对比的方式展示两者元素的组成、化学状态在其表面和沿着深度方向的变化及其差异，由此得到的有关片子质量的正确判断，有力地证明了ＸＰＳ是研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料的得力工具。     

基于FPGA的DBF多波束中频接收系统的设计与实现

数字波束形成(DBF)阵列能够充分利用阵列天线所获取的空间信息,通过信号处理技术使波束获得超分辨率和低旁瓣的性能,它由天线阵元、射频下变频模块、AD采样、中频接收系统及上位机控制器组成。对中频接收系统进行数字波束形成的具体方案进行讨论,对多路接收和AD量化一致性造成的各通道间失配提出了幅相校正的解决方案,详细分析了研制中的关键技术。实验结果表明所设计的DBF多波束中频接收系统可有效实现通道间失配的校正,并实现精确的波束赋形功能。     

一种低功耗、高保真音频功率放大器的研发

就解决现有音频功率放大器中噪声高、失调大的问题,设计制作了一种0.6 μm线宽的低压、低失真AB类音频功率放大器.器件采用BTL结构的差动输出,以简单的结构达到高质量音频重现.在设计中,采用前馈式AB类控制方式解决静态电流的控制,并增加浮动AB类控制减小失配,改善了传统AB类放大在噪声、失调等方面的性能.实验测试结果表明,供电电压为5 V时在关断模式下,将静态电流消耗减小到0.2 μA以下;电源抑制比高于80 dB;总谐波失真在1%内.     

射频矢网中LO端口失配对测量系统的影响

射频矢量网络分析仪在对元器件进行传输、反射测量时,测量端口的负载匹配对测量结果影响很大。在射频矢量网络分析仪内部处理信号的过程中,信号源LO端口对测量的影响也是尤为重要,文中提供了一种较为传统的处理方法。     

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.     

适用DC-OFDM超宽带系统的低复杂度同步器设计

提出了一种包括符号同步模块,自动增益控制模块以及对非理想因素的估计补偿模块的同步器.在符号同步模块中,采用相关和阈值搜索的联合判断算法确定前导符的起止位置;在自动增益模块中,采用双闭环的AGC算法来提高调节范围和收敛速度;在非理想因素的估计补偿模块中,针对接收机中出现的载波频偏和IQ失配进行估计补偿.用0.13μm CMOS工艺综合,在相同的工作频率132 MHz下,面积和功耗约为传统方法的50%.     

0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffers

Single-junction,lattice-mismatched In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic(TPV) devices each with a bandgap of 0.6 eV are grown on InP substrate by metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD).Compositionally undulating stepgraded InAsyP1-y buffer layers with a lattice mismatch of ～1.2% are used to mitigate the effect of lattice mismatch between the device layers and the InP substrate.With an optimized buffer thickness,the In0.69Ga0.31As active layers grown on the buffer display a high crystal quality with no measurable tetragonal distortion.High-performance single-junction devices are demonstrated,with an open-circuit voltage of 0.215 V and a photovoltaic conversion efficiency of 6.9% at a short-circuit current density of 47.6 mA/cm2,which are measured under the standard solar simulator of air mass 1.5-global(AM 1.5 G).     

基于纤芯失配和光纤布拉格光栅实现温度和应变同时测量

基于纤芯失配理论,提出了一种多模单模多模（MSM）结构与光纤布拉格光栅（FBG）级联实现温度和应变同时测量的光纤传感器。利用MSM结构的干涉谱和FBG对温度和应变的不同响应灵敏度,实现了对温度、应变的同时测量。实验结果表明,在20 ℃~80 ℃的温度范围内,MSM结构的干涉谱和FBG的温度灵敏度分别为0.091 nm/℃和0.0102 nm/℃;在0～650 με的应变范围内,应变灵敏度分别为 -0.0013 nm/με和0.0012 nm/με。因此利用敏感矩阵,即可实现对温度和应变的同时测量,且温度和应变的最大测量误差分别为±0.2 ℃和±8.25 με。该结构灵敏度高,结构简单,且不易受电磁等干扰,实验结果具有良好的线性度,在工程领域应用前景良好。