HgCdTe外延薄膜临界厚度的理论分析

基于在任意坐标系内应力与应变的关系、晶体弹性理论和位错滑移理论，研究了生长方向分别为［111］和［211］晶向，HgCdTe外延薄膜临界厚度与CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的关系. 结果表明，HgCdTe外延薄膜临界厚度依赖于CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的变化. 对于厚度为10μm，生长方向为［111］晶向的液相外延HgCdTe薄膜，要确保HgCdTe/CdZnTe无界面失配位错的前提条件，是CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动必须分别在±0.225‰和±5‰范围内；而对于相同厚度，生长方向为［211］晶向的分子束外延HgCdTe薄膜，CdZnTe衬底中Zn组分和HgCdTe外延层中Cd组分的波动范围分别为±0.2‰和±4‰. 关键词： HgCdTe/CdZnTe 临界厚度 位错滑移理论 失配位错     

IMC模型失配及其解决方法

当内模型与对象模型失配时，可能产出危险的控制状态，这个现象由摄动模型和稳定性分析加以证明，从内模控制机理出发，提出一种利用扩充控制器Ｄ（ｓ）代替一般内模控制器的系统方法，以增加系统的鲁棒性。     

一种时间交织ADC的时间失配后台校准算法

利用输入信号的自相关特性设计了一种用于时间交织模数转换器(ADC)时间失配误差的自适应数字后台校准算法,该算法利用输入信号的自相关特性以及统计的方法,在后台将子通道的输出作相关运算以估计失配误差,再利用基于farrow结构的分数延时滤波器进行误差校正.误差估计部分和校准部分构成一个反馈环路,可以实现误差的实时跟踪和校正.Matlab仿真结果表明:当输入信号归一化频率为fin/fs=0.096 88时,经校准后,系统的SNR提高11dB以上,校准效果明显.该算法适用于任何类型的输入信号,且在硬件实现方面也比较简单,farrow结构实现的滤波器只用3~5阶就可以满足校准精度要求,特别适用于工程实现.     

一种相位编码信号及其失配滤波器设计方法

为了解决相位编码信号脉冲压缩后峰值旁瓣电平过高的问题,提出了一种新颖的相位编码信号——宽主瓣相位编码信号及其失配滤波器的设计方法。首先,在给定相位编码信号时宽并且保持信号带宽不变的条件下,通过增加相位编码信号的码元长度来增加优化自由度进而降低其峰值旁瓣电平;然后,给出了宽主瓣相位编码信号的设计准则,并使用基于L-BFGS算法的最小p范数优化算法进行求解;最后,基于该相位编码信号提出了以最小化峰值旁瓣电平和逼近期望的主瓣为准则的失配滤波器设计方法,并使用凸优化算法进行求解。仿真结果表明:在给定相位编码信号的时宽、保持信号距离分辨力不变的条件下,与传统相位编码信号相比,主瓣展宽的相位编码信号峰值旁瓣电平可以降低4.32dB;通过设计失配滤波器的方法,该相位编码信号脉冲压缩后的峰值旁瓣电平可以进一步降低5.94dB。     

基于级联倍频机制无啁啾激光脉宽随晶体位相失配量的非线性变化

在无啁啾激光脉冲的非线性压缩过程中,基于级联倍频机制,对影响脉冲压缩的敏感因素——晶体位相失配量进行了理论分析和实验验证。当入射基频激光(即1ω光,波长为800nm,脉宽为278fs)进入I类二倍频β-BaB2O4(BBO)晶体后,随着晶体位相失配量的增加,基频光的输出脉宽先降后升,这种趋势可总结为"U"字形非线性变化;当位相失配量为40mm-1时,脉宽缩至最小,此时脉宽压缩比最大。     

基于增抗增阻技术的船用母线槽抑振设计

随着潜艇设备用电需求的提升,电力电缆的大量使用为艇内空间布置和施工带来了极大的不便.鉴于此,基于管母线与管路间的共性,从敷设自由阻尼层、增加连接部位界面阻抗失配度的角度对管母线进行了动力性能分析,分析了不同振动模态形式下的能耗.针对一种典型软连接形式,分析了包覆阻尼材料、采用黏弹夹层连接对管母线振动能量的吸收、阻隔效果;探究了内外侧绝缘阻尼层不同模量、损耗因子及厚度对管母线振动性能的影响.结果表明:该抑振设计工况可使管母线的中跨段加速度总振级降低25dB;降低内外侧绝缘阻尼层模量、增大内外侧绝缘层材料损耗因子以及分别增大外绝缘层厚度、减小内侧绝缘层厚度可以有效抑振,为母线槽振动噪声控制提供了设计支撑.     

高效率前馈放大器单环抑制性能

国外有学者提出了一种延迟线失配法来提高前馈放大器的效率。为了更全面考察这种方法对于前馈放大器单环抑制性能，尤其是误差环路的抑制性能的影响，从幅度、相位误差以及延迟线失配3个方面进行了仔细全面地分析，并得出了相应的结论。     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

应变Ge1-yCy合金的带隙

采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法，研究Si(001)和Ge（001）衬底上的应变Ge1-yCy合金，其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况。结果发现，带隙对应变条件非常敏感。硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加，而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随炭组分的增加而减小。     

高精度模数混合SAR ADC校准算法

针对高速逐次逼近型模数转换器中的比较器失调和电容失配问题,设计一种模拟前端“粗”校准与数字后端“细”校准相结合的模数混合校准技术,对系统失调电压以及电容失配分别进行抵消、量化与补偿,从而在保证模数转换器采样速率的同时能够有效提高转换精度和信噪比。基于12位模数转换器对所提出的电路结构和校准算法进行了Matlab行为级建模仿真,算法校准后在80 MHz采样率下信噪失真比达到73.28 dB,有效位数11.88 bit,分别比校准前提高15.1dB与2.5 bit。