长二相编码信号旁瓣抑制滤波器的设计

为了解决长二相编码信号脉压旁瓣抑制滤波器设计过程中易出现局部最优的问题,讨论了基于凸优化的旁瓣抑制滤波器设计方法.从时域波形入手分析了二相编码信号的失配滤波,结合工程设计和凸优化的性质,以失配滤波损失和峰值旁瓣电平为约束条件,将旁瓣抑制滤波器的设计转换为凸优化问题,利用CVX工具设计了长二相编码信号的旁瓣抑制失配滤波器,并进行了仿真分析.仿真结果表明,基于凸优化的设计方法可以有效解决长二相编码信号旁瓣抑制滤波器设计中局部最优的困扰,所设计的失配滤波器具有较好的峰值旁瓣电平性能.     

单模双折射色散缓变光纤中拉曼散射与参量放大

根据斯托克斯波和反斯托克斯波所满足的耦合微分方程,考虑泵浦波是线偏振光,其偏振方向沿x轴,推导出了同偏振方向受激拉曼散射和参量放大同时作用下,斯托克斯波和反斯托克斯波的增益系数。研究了色散缓变光纤中增益随失配系数Δk2以及归一化距离z/L的变化关系。结果表明,当非线性系数γ=0时,增益随Δk2的变化情况在正常和反常色散区是完全对称的;而当非线性系数γ≠0时,在反常色散区增益会出现峰值,随后增益随Δk2和z/L的增加而逐渐减小。讨论了反斯托克斯波与斯托克斯波Eax/Esx的比值随失配系数Δk2的增加而快速衰减的变化特性。     

Molecular dynamics simulations of La2O3 thin films on SiO2

Classical molecular dynamics is used to investigate the equilibrium state of the surface region and interface of heteroepitaxial La2O3 thin films.Due to the lattice mismatch,heteroepitaxial thin films are subject to very large stress.For this reason the behavior of La2O3 thin films at SiO2interface becomes an important concern.Our result indicates that La2O3 can uniformly wet SiO2 surface.The properties of the simulated films are analyzed and the lack of any discernible crystalline phase in epitaxial La2O3 on SiO2 indicates that the lattice mismatch between SiO2 and La2O3 is sufficiently large to prevent the formation of even short-range orders in La2O3 film.     

Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InA1As Superlattice ＊

The effects of strain compensation are investigated by using twenty periods of highly strain-compensated InGaAs/InA1As superlattice. The lattice mismatches of individual layers are as high as about 1%, and the thicknesses are close to critical thicknesses. X-ray diffraction measurements show that lattice imperfectness is not serious but still present, though the structural parameters are within the range of theoretical design criteria for structural stability. Rough interfaces and composition fluctuations are the primary causes for lattice imperfecthess. Photoluminescence measurements show the large thermally activated nonradiative recombination in the sample. In addition, the recombination process gradually evolves from exeitonic recombination at lower temperatures to band-to-band recombination at higher temperatures, which should be considered in device applications.     

失配因子σ2对掺杂锰基钙钛矿氧化物输运性质的影响

掺杂量、A位阳离子平均半径及失配因子是影响掺杂锰基钙钛矿氧化物从顺磁绝缘体到铁磁金属转变的主要因素，为了突出研究失配因子的影响，本文固定掺杂量和A位阳离子平均半径制备了一系列样品。0和5T磁场下电阻率与温度关系测量表明，随着失配因子的增加，绝缘体-金属转变温度向低温区移动且与σ^2岩保持线性关系；通过调节失配因子，样品La0.53Sm0.17Sr0.3MnO3的磁电阻在室温附近达到了极大值。结合样品的电输运行为，对实验结果进行了讨论。     

外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究

运用分子动力学方法对负失配条件下的外延铝簿膜中失配位错的形成进行了模拟研究.所采 用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果显示：在500K下长时间静态弛豫 ，表面和内部结构完整的外延膜在9—80原子层厚度范围内(约为其热力学临界厚度的3—40 倍)均不形成失配位错，而在薄膜表面预置一个单原子层厚、三个原子直径大小的凸台或凹 坑时，失配位错则能够在15个原子层厚的外延膜上迅速形成：在动态沉积生长条件下，表面 自然形成凹凸，初始厚度为9个原子层厚的外延膜在沉积生长中迅速形成失配位错.在三种条 件下，所形成的位错均为伯格斯矢量与失配方向平行的全刃位错.分析发现：在压应力作用 下，表面微凸台诱发了其侧薄膜内部原子的挤出，造成位错形核；而表面微凹坑则直接因压 应力作用形成了一个表面半位错环核. 关键词： 外延薄膜 失配位错 分子动力学 铝     

传输线阻抗失配对脉冲波形的影响

文章用局域网中的两个实例介绍了传输线阻抗失配对脉冲波形的影响。     

失配的Lewis对:非金属催化氢化的新策略

“失配的Lewis对”(Frustrated Lewis Pairs,FLPs)作为有机化学领域的新概念,在非金属活化H2,CO2和NH3等小分子方面的研究和应用格外引人注目.以“失配的Lewis对”为催化剂,直接以氢气作为氢源,非金属催化氢化还原醛、烯胺、亚胺、腈和二氧化碳等获得了很好的结果.手性“失配的Lewis对”(Chiral Frustrated Lewis Pairs,Chiral FLPs)在不对称催化氢化还原亚胺的反应中也呈现出较高的光学选择性,产物胺的对映体过量最高达83％ ee.综述了近几年“失配的Lewis对”在非金属催化氢化研究领域的进展情况.     

蛋白质表示简化的物理研究

文中概要地描述了“蛋白质折叠”的问题及其统计研究方法 ,并针对根据氨基酸之间相互作用特性进行的氨基酸和蛋白质简化研究进行了较为细致的论述和讨论 ;并指出通过这样的分析 ,我们不仅可以对蛋白质具体的简化字母表示有一定的了解 ,而且对于我们进一步了解蛋白质序列 结构关系有很大的帮助。     

宽带钕玻璃激光的高效三次谐波转换

提出了一种新颖的宽频带钕玻璃激光三倍频技术组合激光工作模式（宽带激光与窄带激光混频）方案。数值模拟研究表明:利用窄线宽钕玻璃激光脉冲,可以缓解宽频带激光谐波转换过程中群速度失配对转换效率的影响,从而提高宽带钕玻璃激光的转换效率;并且该方案可以与目前使用成熟的双和频晶体方案结合,从而能支持目前钕玻璃激光装置能达到的最大带宽约5 nm的高效三倍频（理论上效率达约80%）。