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本文从当前CAD教学现状入手,结合网络和多媒体技术,详细阐述了架构CAD网络教学系统的必要性,并结合当前互联网模式,设计出基于B/S结构的CAD网络教学系统模型. 相似文献
84.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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讨论了服股工程结构的经济性问题,包括:抗地震结构在服役过程中为完成预定功能所需要的经济花费,这些花费同结构抗震可靠度的函数关系以及它们的建立方法。形成的服役费用函数可以作为决策结构最佳抗震设防标准的依据。 相似文献
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周贻华 《南通工学院学报(自然科学版)》2002,1(1):76-78
针对传统离心喷嘴存在的问题,开发了环型喷嘴;系统地介绍了其工作原理、结构特点和喷水量实验方案;实验表明,该喷嘴具有喷水量大、防堵、高效、节能等特点。 相似文献
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对3-芳氧基-1,2-环氧丙烷类化合物合成方法进行了研究,对反应条件、操作过程及品质控制等方面进行了改进,合成了11个3-芳氧丙烷类化合物,改进后的方法实用,产率高于文献报道,有普遍的推广应用的价值。 相似文献
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纳米级自旋电子学材料取得重要进展 总被引:1,自引:0,他引:1
因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料,故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视.文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展:通过大规模系统的高精度第一原理计算,作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性,并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料,便于应用于纳米级自旋电子学器件。 相似文献
90.
[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2]的合成与结构分析 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了18-冠-6与Na2[Cu(i-mnt)2][i-mnt=异丁二腈烯二硫醇阴离子,S2CC(CN)2-2]的反应,得到的配合物[Na(18-C-6)]2[Cu(i-mnt)2](1)通过元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射进行了结构分析.配合物为单斜晶系,空间群P2(1)/c.晶体学结构数据a=1.2819(11),b=1.1793(10),c=1.4928(13)nm,β=99.121(16)°,V=2.228(3)nm3,Z=2,Dcaled.=1.369g/cm3,F(000)=958,R1=0.0521,wR2=0.1003.1中的[Cu(i-mnt)2]基团通过配体i-mnt的氮原子与两个[Na(18-C-6)]基团中的钠原子成键,形成稳定的中性配合物. 相似文献