数学串诗一首

忧愁是可微的，快乐是可积的，在趋向于正无穷的日子里，幸福是连续的，对你祝福可导且大于零，祝你生命里快乐和幸福的复合函数总是最大值!     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

爆炸焊接参数的计算机辅助设计

 根据爆炸焊接理论，综合分析了相关爆炸焊接参数的计算方法，利用Visual C++语言编制了爆炸焊接参数计算机辅助设计程序，该程序采用菜单和视图形式对输入、输出命令结果进行操作，方便直观。与有关实验结果的对比表明，计算所给出的焊接窗口及最佳焊接参数具有很高的准确度。爆炸焊接CAD方法对于减少实验次数，摆脱经验设计方法，选择最佳焊接参数将是非常有用的工具。     

TiN和Ti1-xSixNy薄膜的微观结构分析

使用x射线衍射(XRD)、x射线光电子谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)多种观测手段分析了TiN薄膜和Ti1-xSixNy纳米复合薄膜的微观结构.实验分析证明Ti1-xSixNy薄膜是由直径为3-5nm的纳米晶TiN和非晶Si3N4相构成,并且Ti1-xSixNy薄膜的表面粗糙度小于相同条件下制备的TiN薄膜,在Ti1-xSixNy薄膜体系的自由能中引入界面能的概念,在此基础上分析了体系中TiN晶粒的取向问题.     

记录媒体用薄膜材料及相关靶材的技术和发展

 信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。     

ns脉冲激光对K9玻璃的破坏实验

 采用高速PIN光电探测器和高带宽的数字存储示波器，实时检测透射光脉冲和散射光脉冲的变化特征，并将之用作材料破坏的光学判据，测量得到K9玻璃在1.06μm纳秒脉冲激光作用下的能量损伤阈值约18mJ，相应的能量密度阈值为1.0kJ/cm²。通过分析透射光脉冲和散射光脉冲的特征，给出了材料的破坏时刻，并推断出K9玻璃所能承受的极限光强为10¹⁵W/m²。研究了能量透过率与泵浦能量的关系，并初步探讨了透明材料的破坏机理。结果表明：在多纵模激光的作用下，透明光学材料破坏是电离击穿与自聚焦效应综合作用的结果。     

完备可分度量群上的齐次Levy过程的复合Poisson逼近

该文利用算子半群的方法给出了取值于具有左不变度量的完备可分群的齐次Levy过程是复合Poisson过程的弱极限这一结论．     

A Fixed Point Theorem for Multi—valued Composite Increasing Operators

Ａ　Ｆｉｘｅｄ　Ｐｏｉｎｔ　Ｔｈｅｏｒｅｍ　ｆｏｒ　Ｍｕｌｔｉ－ｖａｌｕｅｄ　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ　Ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ　ＯｐｅｒａｔｏｒｓＬｉＦｅｎｇｙｏｕ（李凤友）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ，Ｔｉａｎｊｉｎ＇ＮｏｒｍａｌＵｎｉ...     

复合氧化物晶体晶格能的近似计算

本文以 Born-Harb 循环为依据,推导了复合晶体晶格能和与其相应的各二元化合物晶体晶格能之间的关系,并由此给出了复合氧化物晶体晶格能近似计算的新公式。对20种复合氧化物晶体晶格能计算结果的分析表明:用本文所给公式对复合氧化物晶体晶格能进行近似计算是可行的。     

部分充满介质的理想螺线管条件

一般教科书中都提到，理想螺线管（指内部磁场均匀，无漏磁）的条件是无限长（相对而言），绕线蜂蜜。但对绕线是否应该均匀则未做详细论述。本文试图指出，在无介质情况下理想螺线管的绕线都是均匀的，但在部分充满介质的情况下，均匀的绕线反而会破坏“理想”的条件。