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Optical and Electronic Properties of InGaN/GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation. 相似文献
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为充分利用太阳光的短波部分,将AlxGa1-xAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp -AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合。以制作工艺简单的p -AlGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp -Al0.3Ga0.7As/p-n-n -GaAs太阳电池。其I-V特性理论研究绐果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al0.3Ga0.7As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级。优化设计得到的整个电池的效率为31.5%,较传统的窗口层电池有明显提高。 相似文献
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以3,4,5-三羟基苯甲酸为原料,依次经过酯化、醚化、酰氯化和钠盐化四步反应合成一种可聚合型溶致液晶单体3,4,5-三(11-十一烷氧丙烯酰氧基)苯甲酸钠,并对其结构进行了傅里叶变换红外与1H核磁表征. 在室温下研究了该单体在水中的自组装行为,组装体结构通过偏光显微镜与X射线衍射仪进行表征. 研究表明,单体与水比例为80:20时可自组装为层状(La)相,92:8时组装为反六方(HII)相,这与临界堆积参数的理论计算相吻合,表明单体浓度是影响组装体结构的重要因素. 在组装的基础上研究了含不同光引发剂的溶致液晶体系的双键转化率及固化后组装体结构的保留. 经实时红外表征及溶胶-凝胶法的验证发现在光强为30 mW/cm2的365 nm下曝光30 min,含引发剂Darocur2959的溶致液晶体系双键转化率可达78%. 聚合之后La相与HII相的纳米结构都得到了保留. 相似文献
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采用高温固相法合成了一种新型单基质Sr3-2xLi1+xMgV3O12∶xEu3+荧光粉,研究了其在不同的合成温度及Eu3+掺杂浓度等条件下的发光性能。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱仪(PL)等对样品进行表征。荧光光谱表明Sr3-2xLi1+xMgV3O12∶xEu3+荧光粉具有与近紫外芯片相匹配的激发光谱,其宽阔的发射光谱(450~630nm)使得该类物质具有作为白光LED用单基质荧光粉的巨大优势。 相似文献
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当前船载单脉冲雷达幅相一致性标定方法受各类条件的限制,不具备快速标校的特性,一旦设备出现故障或系统更换备件时难以满足系统标校的需求。针对此问题在介绍船载单脉冲雷达幅相一致性标定原理的基础上对传统标校方法进行了分析。基于多模自跟踪体制,建立了天线偏离角与角误差信号关系的数学模型,通过获取目标相对天线角度变化值以及角误差电压变化值,提出了一种幅相一致性快速标定的新方法,并研制了快速标校软件,对设备进行多次标定试验,结果表明标校过程快速简便,满足精度指标,对提高幅相标定效率、克服标定环境局限性等具有重要的现实意义。 相似文献