HoYb:YVO4的上转换发光研究

研究了960nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb:YVO4的直接上转换增敏发光,发现了Ho3+离子的上转换发光现象,HoYb:YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强,而5S2→5I8相对小了一个数量级,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的. 关键词： 上转换发光 直接增敏(敏化) 钒酸钇YVO4晶体 Ho3+离子     

射流式单重态氧发生器研究

单重态氧O2 (a1Δg)是迄今唯一能用纯化学反应高效产生的具有长寿命的亚稳激发态分子 .为了考察提出的用两个O2 (1Δ)能量汇集反应生成氧第二单重激发态O2 (b1Σ+ g)以实现近可见短波长化学激光方案的现实性 ,设计和实验了一个氯流量为 3～ 10mmol/s的射流式单重态氧发生器 (JSOG) .考察了三种具有不同孔径和孔数目的喷头、氯气流量和脱水冷阱温度等对JSOG出口的O2 (1Δ)浓度、O2 (1Δ)分压、氯利用率及水蒸气含量的影响 .发现用聚氯乙烯管作冷阱时 ,最佳冷阱介质温度为 - 140～ - 15 0℃ ,对此提出了O2 (1Δ)表面脱活与脱水互相竞争的解释 .在最佳条件下 ,可将O2 (1Δ)气中水分压降低至 4Pa ,这一结果是首次报导     

吲哚化合物的光化学——Ⅲ.薄层层析—光度法对2—苯基吲哚敏化光氧化反应体系的定量分析研究

本文为2—苯基吲哚(1)的光氧化反应体系建立了一种薄层层析—紫外分光光度定量分离分析方法。该法灵敏、简便准确度和精密度均好。     

格点定模SU(2)-Higgs模型的解析计算

对格点上基础表示的定模Higgs场与SU(2)规范场耦合系统的相图进行解析计算至累积展开的第四级,用扫瞄确定变分参数的方法,得到与Monte Carlo模拟很好符合的相图.计算了N_τ=1的有限温度情形下SU(2)-Higgs系统和纯SU(2)模型的Polyakov线,对后者得到迄今最佳的近似解析结果β_c.     

四氢β—咔啉类化合物的~(13)C NMR研究

测定了四对新合成的四氢β-咔啉化合物的~13C NMR谱,通过APT,HETCOR和HETCOLOC谱指认了所有碳的归属.所确定的化学位移规律可以用来确定它们的构型.     

三种胺羧配合物的113Cd NMR研究

该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的¹¹³Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T₁,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对¹¹³Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用.     

1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷的合成及其反相纸层析的R_f图谱

本文合成了1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷(DOSP),完成了1,3—二(正辛基亚磺酰)丙烷的四氢萘饱和溶液的反相纸层析的R_f图谱。     

河北省科技示范县（市）工业技术进步的评价

本文利用Cobb-Douglas生产函数,对河北省十三个科技示范县(市)1979～1988年间工业企业技术进步状况进行了定量分析和评价。结果表明,这些县市的年平均技术进步速度在2.34％到7.42％之间,技术进步对经济增长的贡献在24.03％到51.05％之间;与全省全民所有制独立核算工业企业在1979～1987年间的技术进步状况相比,绝大部分科技示范县(市)工业企业技术进步的效果更加明显。这一测算和分析结果大体上符合各县(市)的实际情况,对于制定科技发展和经济规划,具有重要指导意义。     

数字式八脉冲触发器

本文介绍了自行研制的数字式八脉冲触发器．该触发器运行可靠，抗干扰能力强，性能、价格比高，在电力电子技术的应用中有一定的推广价值     

抗(耐)甜菜丛根病新品系—SN8901的选育

抗(耐)甜菜丛根病新品系—SN8901系从亲本8—67中优选单株,经丛根病圃培育,优选出的抗(耐)病品系.该品系属多粒2倍体自交系.试验、生产示范结果均优于对照新甜4号.根产量、含糖率、产糖量分别比对照新甜4号提高41.56%、2.66度和71.52%.