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81.
82.
采用固相法制备(Sm1-xBix)05Sr05CoO3-δ (0≤x≤0.5),研究不同Bi3+掺杂浓度对材料的晶体结构、表面形貌与光学性能的影响.结果表明,当掺量0≤x(Bi3+)≤0.2,材料为单一纯相的钙钛矿结构;当掺量0.3≤x≤0.5,材料主相仍保持着钙钛矿结构,同时出现杂相CoO与Sr0.5CoBi0.5Ox.(Sm1-xBix)05Sr05CoO3-δ平均粒径随着Bi3+掺量的增加由1.98 μm增大为9.77 μm,晶粒形状由多边形状变为方块状;光学测试表明,随着Bi3+浓度的增加,材料的光学吸收率由0.73增大到0.87,发射率由0.34增大到0.80. 相似文献
83.
雪崩光电二极管由于具有高增益特性而广泛应用于激光测距机中,但由于在电流倍增过程中引入的高附加噪声,使激光测距机进一步提高信噪比遇到了瓶颈。石墨烯具有高电子迁移率、零带隙结构、独特光吸收系数等特性使其广泛应用于激光器、光调制器、透明电极以及超快光电探测器。该研究提出了一种高信噪比的谐振腔型石墨烯光电探测器的设计方法。以波长为1.06μm的激光为例,采用光学传输矩阵法和散射矩阵法,研究了光波在谐振腔传输和吸收层吸收的机理,建立了谐振腔型光电探测器的光吸收模型,通过优化,器件最终量子效率达到91.2%,响应度达到0.778A·W~(-1),半高全宽达到6nm;分析石墨烯在谐振腔中的位置对器件吸收率的影响,发现在满足谐振条件下,器件吸收率随石墨烯位置呈现周期性变化,腔长的改变不改变吸收率峰值,而是改变了吸收率峰值对应的石墨烯在谐振腔中的位置,当腔长是入射光半波长的n倍时,随着石墨烯位置变化,将出现2n个吸收率峰值,且关于谐振腔中心点对称分布;选择石墨烯距顶层反射镜0.402 8μm时,器件吸收率达到94%,相比单层石墨烯,吸收率提高了16dB;通过对比求解谐振腔型石墨烯光电探测器和雪崩光电二极管信噪比方程,得出谐振腔型石墨烯光电探测器信噪比可达到90.3,较雪崩光电二极管提高了10dB;理论分析表明,谐振腔型石墨烯光电探测器具有高吸收率、高量子效率和高信噪比,研究成果将对激光测距机接收系统中光电探测器的更新设计和应用提供理论参考。 相似文献
84.
85.
植物生长过程的负熵流分析 总被引:1,自引:0,他引:1
目的 为分析影响植物生长的主要因素。方法 用开放系统的熵平衡方程进行热力学分析。结果 给出了植物生长过程的负熵流方程。结论 植物的生长依赖光照、水、肥、气等条件。 相似文献
86.
对比分析在相同实验条件下次氯酸钠一水杨酸分光光度法和纳氏试剂比色法对氨气分析的差异性,采用分析硫化物的吹气装置作为氨气的气体发生装置,分别测定这两种方法对于一定量氨气的吸收率,结果显示采用纳氏试剂比色法会产生正干扰,吸收率均大于100%;而采用次氯酸钠一水杨酸分光光度法则不存在干扰,且吸收率在91.5%~95.0%之间。 相似文献
87.
根据人脑的核磁共振影像(MRI)以及人脑组织数据,采用多物理量有限元模拟的方法进行建模,计算了人脑在手机近场辐射情况下的比吸收率(SAR)和局部温升的特性,并就辐射对人脑的影响问题进行了探讨。模拟结果符合相关国际标准规定,模拟数据合理。 相似文献
88.
计算传热学在控制算法研究中的应用 总被引:12,自引:1,他引:12
陈海耿 《东北大学学报(自然科学版)》2002,23(3):273-276
介绍了计算传热学在热工过程控制中的重要作用·给出了加热炉计算机监督控制系统和直接数字控制系统的算法和参数研究中的计算传热学应用实例·例如以热传导反问题的方法实现了SCC参数的辨识·研究了总括热吸收率在线动态补偿的基本算法,和提高模型精度的基本措施·提出了以炉子生产率和燃耗作为总括热吸收率在线动态补偿的依据·模拟表明,二者在算法上具有叠加性·此外,以计算传热学为基础,讨论了待轧策略和炉子优化控制的目标函数真实化问题· 相似文献
89.
左手材料SRR在手机辐射防护中的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
周晓明 《华南理工大学学报(自然科学版)》2009,37(7)
通过建立开口环状谐振器(SRR)手机与人体相互作用系统的数值仿真模型,应用时域有限差分法计算人体内辐射剂量的比吸收率(SAR)值,并由天线方向性图分析SRR对手机通信质量的影响,研究了左手材料SRR对减少手机电磁辐射的防护效果.结果表明,在手机中置入SRR后,每克和每10克人体生物组织的平均SAR峰值降幅在50%以上,而辐射场强度最大降幅不超出10 dB.说明使用左手材料SRR可以明显降低手机对人体造成的辐射危害,对手机通信性能的影响在可接受的范围内. 相似文献
90.
利用磁控溅射设备制备了SS-AlN太阳光谱选择性吸收膜,用分光光度计测量样品的光谱反射曲线并与模拟计算所得到的反射曲线进行对比。结果表明:理论模拟曲线与实际测量虽不完全吻合,但其吸收率基本相同。实验测得的用脉冲磁控溅射设备的单层吸收膜吸收率α=90.81%,理论值为92.65%.可见,模拟分析能有效地预测SS-AlN膜层的光学性能。 相似文献