Ti-Pd形状记忆合金马氏体相变温度

采用DTA和STA测定了TiPd系合金的相变温度 .结果表明 ,可以通过改变TiPd合金的成分和采用合金化的方法来调整TiPd系合金的相变温度 .合金化元素Fe ,W ,Cr等替代Ti50 Pd50 合金中的部分Pd均降低合金的相变温度 ,但程度有所不同     

碳钢表面Fe—Ni—Cr—Si—B合金熔敷层的激光处理

利用１０ｋＷ连续ＣＯ２激光束对熔敷在中碳钢表面上的Ｆｅ４０Ｎｉ３６Ｃｒ２Ｓｉ８Ｂ１４合金进行了表面非晶化处理。对已处理表面进行了扫描电镜，透射电镜和电子衍射的检测分析，发现无论在单条激光处理区，还是在多条处理的搭接区均获得了非晶结构，与之区存的还有微晶组织，处理中非金属元素的烧损是出现微晶的原因。     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

微连接用无铅钎料及稀土在钎料中的应用现状

综述了微连接用无铅钎料的应用研究现状，指出SnAgCu系合金因良好的综合性能将成为最有潜力的锡铅钎料替代品。基于对稀土在钎料中应用研究成果的分析，认为添加微量稀土有望成为改善SnAgCu系无铅钎料蠕变性能的重要途径。充分利用我国丰富的稀土资源开发低Ag的SnAgCuRE系钎料，应当成为中国今后无铅钎料研究开发的重点。     

FeMnAl合金的低温电阻率反常

报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应.     

非晶Zr—Co的超导转变

测量了非晶态过渡族 Zr_(100-x)Co_x(x=20—41)合金的超导转变温度 T_c、上临界场 B_(c2)(T)和临界电流密度 J_c(H,T).T_c 随着 Co 含量 x 增加而线性地降低.上临界场 B_(c2)(T)的测量数值符合标准的 WHH 理论.电子状态密度和电子比热系数都随着 Co 含量 x 增加而降低.临界电流密度 J_c(H,T)和磁通钉扎力 F_p,相当弱,可以归因于在相干长度尺度上的结构均匀性.