快冷Fe_(71)Al_(29)合金中的两个内耗峰

用一个计算机控制的倒扭摆研究了快冷Fe71 Al2 9合金中的两个内耗峰 .在快冷的Fe71 Al2 9样品中分别在 180℃(P1 ) ,340℃ (P2 )和 5 10℃ (P3)出现了内耗峰 ,而在慢冷的Fe71 Al2 9样品中只发现了P3峰 .快冷样品中的P1 和P2峰在从 6 5 0℃冷却下来的测量过程中或在 35 0℃经过较长时间的时效后消失 ,其峰高随时效时间的增加而下降 ,直至消失 .P1 和P2 峰都有弛豫特征 ,它们的激活能分别为 :H1 =1.0 3± 0 .0 8eV(P1 峰 ) ;H2 =1.6 4± 0 .0 5eV(P2 峰 ) .P1 峰被认为是无序合金中Al原子在四面体点阵内的最近邻运动所引起 ,P2 峰则是无序合金中Al原子在四面体点阵内的次近邻运动所引起     

记录媒体用薄膜材料及相关靶材的技术和发展

 信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。     

Microwave Synthesis, Characterization and DNA-binding Properties of a New Cobalt（ Ⅱ ） Complex with 2,6-Bis（benzimidazol-2-yl）pyridine

A new cobalt(Ⅱ) complex with tridentate ligand 2, 6-bis (benzimidazol-2-yl)pyridine has been synthesized by microwave irradiation method and characterized by elemental analysis,electrochemical and spectral methods. The binding of the complex with calf thymus DNA has also been investigated by absorption and fluorescence spectra.     

计数法（1）

所谓计数,就是估计或计算符合某些要求的对象的个数,换言之,就是给定-个有限集合S,要求出集合S所含的元素的个数|S|,或者对集合S的阶的上、下界进行估计.由于通常给定的集合各种各样,要判定一个元素是否属于它,绝非易事,要计算它所含元素的个数就更加困难.所以,如何计数的问题长期以来一直是人们关心的问题,它历来是组合数学研究的基本课题之一,也是各类竞赛的热点之一.     

Cu基形状记忆合金中析出相的研究

本文利用 X 射线衍射分析、透射电镜等技术,研究了几种热处理制度下 Cu—27.84 Al—3.82 Ni(at%)合金中析出相;用会聚束(CBED)技术测定了析出相与马氏体的取向关系。结果表明:分级处理试样中析出相 r_2是复杂立方结构,晶格参数 a=0.87nm;大量弥散的折出相引起共格应变场,从而使分极处理试样 X 射线衍射峰型宽化;r_2与2H 马氏体的取向关系为;[00]2H‖[001]_r_2,(10)_(2H)‖(300)_r_2。     

炭黑／结晶性含氟树脂合金在自控温加热电缆中应用

选择了结晶性含氟树脂添加改性剂为树脂基体，与炭黑制居复合导电体系。通过这个对体系不同条件下ＰＴＣ特性的研究，对其配方与加工工艺进行优化。并利用扫描电镜，Ｘ射线衍射，ＤＳＣ等分析测试手段，对体系的各种开矿结构进行了研究，阐明了该导电复合体系的形态结构与性能的关系。     

14β-甲磺酰氧基对映-贝壳杉二萜重排反应

本文研究了一类具有15-C与16-C单键的14β-甲磺酰氧基对映-贝壳杉烷(烯)(6,7和8)在Zn-EtOH体系中的重排反应, 它们均能重排成6, 7, 5, 5并环系统的化合物3, 12, 13a和13b。8重排时生成一个8-OEt化合物, 为这类化合物重排时经过阳离子中间体提供了一个证据。     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

pH、温度和浓度对苯酚在V掺杂MoOx-C/Ti电极上的电催化氧化的影响

采用溶胶-凝胶法合成MoOx、MoOx-V5 (x%)胶体,通过Vulcan XC-72炭黑负载制备炭载钼系氧化物电催化剂.利用循环伏安法(CV)测试手段研究苯酚在电极上的氧化降解,考察了掺杂元素、溶液pH值、苯酚浓度、扫描速率、温度对苯酚氧化性能的影响.测试结果表明:苯酚在电极上的氧化是受扩散和电子转移联合控制的复杂过程;掺杂过渡金属元素V可以降低苯酚氧化的表观活化能,提高电化学性能;溶液的pH值越低,MoOx-C/Ti电极对苯酚的催化氧化活性越高;pH在0～6,苯酚的氧化经历了相似的历程,包含了相同的电子数和质子数;苯酚氧化峰电流随着浓度、温度的增加而增加,到一定程度后趋于稳定.