硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

固体力学有限元体系的结构拓扑变化理论

本文是文[1]的继续.文[1]提出了杆件系统的结构拓扑变化理论和拓扑变化法本文将这一理论和方法推进到连续体有限元体系;且在此基础上揭示出有限元体系的一个新性质,称为基本位移之梯度的正交性定理,从而给出一套设计敏度的显式表达式,可直接用于计算.     

复数,实数及实对称数据下Bruun FFT算法的实现

本文在复数、实数以及实对称数据下研究和实现了Ｂｒｕｕｎ ＦＦＴ算法。文章分析和评价了各种数据下ＢｒｕｕｎＦＦＴ的运算量和特点，提出了算法的实现结构和方法。最后给了ＴＭＳ３２０Ｃ３０上的运算时间，我们实现的算法比基２ＦＦＴ速度提高３５％。     

用变分法分析地基-箱形基础-上部结构相互作用

利用空间子结构法凝聚上部结构的刚度与荷载,形成一个超级单元,同时,采用有限分层地基模型,并计及基础自身刚度的影响,建立起基于能量变分原理的地基-箱形基础-上部结构相互作用的数学模型.由于该模型合理的体现了三者协同工作的机制,从而可以对问题进行较为全面的分析.     

基于ASP+SQL的远程MIS系统安全特性分析与研究

为构建基于ASP+SQL体系结构的铁路电务管理信息系统,结合网络安全模型和基于角色的访问控制(RBAC)模型分别设计了实际的网络系统和应用系统,并对其安全特性进行了分析.     

猜想的认知心理学分析及其应用

运用现代认知心理学的有关理论对数学猜想作出分析,认为完善的认知结构是猜想的必要条件,图式的激活与组织具有重要的作用,强调指出猜想的顺利进行有必要从元认知角度实施调控.然后举例说明猜想在数学问题解决中的应用,如解题方法的发现,新命题的猜想推广等.     

SU(2)×SU(2)准自旋模型和自洽解的对称性恢复方法——Ⅰ.严格解和HF近似

本文提出了一个含有两类相互作用的准自旋模型,讨论了模型Hamilton量在SU(2)×SU(2)基中的严格解、基态相变和波函数的K结构,并用此模型探讨了HF近似的有效性。     

C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究

采用密度泛涵理论(density functional theory,DFT)中的广义梯度近似(generally gradient approximation,GGA)对富勒烯C72和内掺金属La富勒烯La2@C72三种同分异构体的几何结构和电子结构进行研究.发现在C72的三种同分异构体中,满足独立五边形规则(isolated-pentagon-rule,IPR)的C72(D6d)结构最为稳定;在La2@C72三种同分异构体中,有着两对两两相邻五元环(twofused-pentagon)的La2@C72(#10611)结构最为稳定,而满足IPR的La2@C72(D6d)的结构变成了最不稳定结构.从能级图和态密度图分析得知,笼子稳定性的变化与La原子的原子轨道与C72原子轨道之间的杂化有关.Mulliken电荷分析得知,La2@C72(#10611)的两个La原子共转移了约3个电子给C72,并且,它们几乎分布在整个C笼上,形成的电子结构为La23+@C3-72.净自旋分析得知,La2@C72(#10611)中La原子磁性完全淬灭.     

四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究

采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO₂)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明，t-HfO₂(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO₂(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次，表面原子的态密度更靠近费米能级(E_F)，价带往低能量处移动，并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO₂表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO₂(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少，表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词： 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO₂(001) 表面电子结构