2MeV注入器束参数测量系统的精确触发方式

针对使用高速分幅相机测量2MeV注入器电子束束参数所要求的精确同步问题,采用了由功率系统的动作波形获取系统的触发信号方式,消除传统的触发方式带来的延时长、精度低(抖动大)的不利影响,满足使用高速分幅相机准确获取束流前期不同时刻的束参数波形的精确触发要求。     

自旋光子开关

许多研究者试图开发一种自旋电子学“spintronic”装置,利用电子的自旋以及电荷来存储和处理信息.而另一些人则想利用光线与金属表面的电子的集体振荡之间的相互作用来产生一种称作“plasmonic”(纳米光子学的一个分支)的装置来处理和传输数据.Alberta大学的Abdul Elezabbi等发     

SPDT微波开关的设计

在收发共用的天线体制雷达系统中,天线收发开关是一种重要的装置。这个系统对微波开关的隔离度、转换速度、插损等要求比较高。本文就以HMC284微波开关芯片为基础,设计了一种高隔离度的SPDT微波开关。     

推广矿用开关两防锁落实《煤矿安全规程》

矿用开关两防锁能有效地预防“两擅一偷”(擅自送电、擅自开盖操作、偷窃电气元件)行为来避免煤矿瓦斯爆炸事故的发生。介绍了矿用开关两防锁的功能和推广应用情况,提出了推广应用矿用开关两防锁的建议。     

基于扭转RF MEMS开关的设计

为了降低RFMEMS开关的驱动电压，根据扭转力学和应变力学理论，提出了基于扭转RFMEMS的开关模型，建立了相关数学公式，给出了加工工艺流程，并仿真得到了不同条件下RFMEMS开关的电机械性能．工艺仿真结果表明：完全可以利用已有生产流程制造基于扭转的RFMEMS开关．性能仿真结果表明：在同等条件下，采用扭转机制，RFMEMS开关的制动电压将降低30％。     

控制脉冲形状对太赫我非对称解复用器开关特性的影响

在考虑了太赫兹光非对称解复用器（TOAD）中半导体光放大器（SOA）的增益饱和与恢复效应的基础上，深入研究了超高斯控制脉冲对半导体光放大器的动态增益响应及太赫兹光非对称解复用器开关特性的影响，并与高斯控制脉冲的情形进行了比较。结果表明：相对于高斯控制脉冲而言，超高斯控制脉冲使半导体光放大器的增益转折区减小，显著影响太赫兹光非对称解复用器的开关窗口形状，当信号光相对于控制光时延一定，或环时间非对称性及信号光相对于控制光的全部时延一定时，超高斯控制脉冲都将使太赫兹光非对称解复用器的最大开关比降低。     

从一次电器事故谈谈四极开关的应用

四极开关的装设(单相时为两极)四极开关的装设是为了实现电器装置与电源的彻底隔离。正确使用四极开关,会给我们生活带来好多安全保障。本文就四极开关使用中的一个小案例,具体谈谈四极开关的正确使用方法。     

飞兆半导体推出4.5V-20V IntelliMAX 负载开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductot)推出全新的IntelliMAX~(TM)系列器件FPF250X,其输入电压为由4.5V至20V。这些高度集成的负载开关针对潜在的过流损坏提供全面的保护功能,过流损坏会对工业、电信、医疗、笔记本电脑及消费应用等低功耗设计造成影响。FPF250X器件将带有热关断、受控导通和欠压闭锁等保护和控制功能的0.23欧姆限流N沟道MOSFET,集成在节省空间的一个SOT23封装中,     

干簧管开关特性实验

利用永磁体对干簧管静态导通关断特性进行实验,包括:永磁体对干簧管的直线接近、异面直线接近、旋转接近,得出每种接近方式下的导通区、关断区和磁滞滞后区,以及每种接近的空间分布;利用空心线圈以方波激励干簧管通断,对干簧管的工作频率、导通时间、关断时间进行实验;最后得出结论。