首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3052篇
  免费   791篇
  国内免费   188篇
化学   163篇
晶体学   21篇
力学   63篇
综合类   49篇
数学   33篇
物理学   1376篇
综合类   2326篇
  2024年   19篇
  2023年   34篇
  2022年   72篇
  2021年   50篇
  2020年   47篇
  2019年   59篇
  2018年   33篇
  2017年   48篇
  2016年   74篇
  2015年   74篇
  2014年   241篇
  2013年   194篇
  2012年   222篇
  2011年   225篇
  2010年   221篇
  2009年   243篇
  2008年   227篇
  2007年   225篇
  2006年   188篇
  2005年   167篇
  2004年   171篇
  2003年   167篇
  2002年   159篇
  2001年   130篇
  2000年   98篇
  1999年   78篇
  1998年   83篇
  1997年   76篇
  1996年   79篇
  1995年   62篇
  1994年   54篇
  1993年   42篇
  1992年   25篇
  1991年   33篇
  1990年   25篇
  1989年   32篇
  1988年   14篇
  1987年   18篇
  1986年   9篇
  1985年   3篇
  1984年   1篇
  1983年   4篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1979年   1篇
  1958年   2篇
排序方式: 共有4031条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
软件在考虑了开关磁阻电机(SRM)的磁饱和、非线性及磁场疏密分布的情况下,将整个电机圆域作为求解区域,适用于任意相数、转子极形状、相绕组电流值及转子位置角的SRM磁场的二维有限元分析,据此可求得电机的参数和性能,并实现电机的优化设计  相似文献   
62.
在各种实际电路中,机械开关的抖动常常会引起误触发,而导致了电路的错误动作。本文给出了电路,用来具体测定机械开关的抖动次数。  相似文献   
63.
介绍一种由霍尔器件和频率电压转换器构成的速度传感器。该传感器具有较高的灵敏度,结构简单,所需的驱动力矩小。采用了频率与电压的转换,所带来的误差小,并且既可用于控制模拟电压装置,亦可用正比于速度的脉冲数控制数控装置。  相似文献   
64.
提出了利用开关电容网络实现连续的Hopfield神经网络的一种新方法,它便于单片集成,实现的网络结构具有对寄生参数不灵敏的优点  相似文献   
65.
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法,工艺及封装方法等,并分别测试了这两种场发射尖阵列的电子发射特性,分配表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频器器件,正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件。  相似文献   
66.
电压零点启动技术及其在声光控制开关中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电压零点启动技术,消除白炽灯启动时的大电流冲击,防止声光控开关中可控硅元件的启动电流过载,从而延长开关自身的使用寿命.  相似文献   
67.
为解决现有的GIS绝缘检测装置存在的体积大、不易实现在线检测、受周围环境影响,测量精度不高等问题,笔者采用时差计算法,对局部放电源进行定位,并通过由高通滤波器、宽带放大器、检波器、电/光变换器和光/电变换器组成的两个通道,分别接收和处理两个来自不同位置检测到的局放信号,从而使检测精度大大提高。实验结果表明,该系统具有重量轻、携带方便、灵敏度高,可实现局放源定位等特点。  相似文献   
68.
高速电磁开关阀存在大流量与高速响应之间的矛盾。通过对锥阀特性的分析,设计了一种阀芯、阀套同时运动的芯套双动高速开关阀,该阀增大了高速开关阀的开口度,提高了响应速度和流量。同时对阀进行了液动力分析,得出在给定压差的条件下液动力与阀的位移基本呈线性关系的结论。  相似文献   
69.
国外已有实验测量发现,InGaAsP多量子阱材料的电子自旋弛豫时间是与材料的阱宽大小直接联系的,而且比之前研究的GaAs多量子阱材料的自旋弛豫时间更短。文中对激子的特性进行了介绍,对影响电子自旋弛豫时间的三个机制经行了分析和计算,并且采用有限深势阱摸型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料为:势阱In0.53Ga0.47As(阱宽6nm);势垒InP。  相似文献   
70.
提出了一种控制简单的谐振极零电压过渡(RPZVT)软开关逆变器应用于异步电机直接转矩控制的新方案,介绍了详细的设计思路和原则,并通过仿真试验说明了此软开关技术逆变器在直接转矩控制应用中的可行性。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号