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提出的数值模拟过程是关于直线加速器加速结构耦合器的设计的。Mafia程序和Hfss程序分别被用来模拟一截S—Band的三腔等梯度加速结构,其两端分别为输入耦合器和输出耦合器。通过Mafia程序和Hfss程序模拟了该结构的传输特性,发现两者的模拟结果能很好吻合。 相似文献
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分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性,讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺,存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比,信号响应与保持特性,图像亮度与对比度等光学特性的影响。 相似文献
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基于半导体材料的新型光纤温度传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出利用全反射定律以半导体材料作为敏感器件的光纤温度传感器,着重阐述半导体材料的温度敏感特性及传感原理,介绍传感器构造,并给出初步实验方案。 相似文献
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用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 ,得到了和实验一致的结果 相似文献
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