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111.
为了探索低温可调控ZnO薄膜沉积技术,提出了一种新的ZnO薄膜制备方法,即离化团簇束(ICB)法,并自行设计研制了应用该方法制备ZnO薄膜的专门装置.采用超音速喷嘴获得高速锌原子团簇束,用Hall等离子体源产生氧离子束离化锌原子团簇,获得了较高的离化率.在沉积过程中,可以通过调节衬底偏压、氩氧比、衬底加热温度等参数,来控制成膜的质量;应用这个装置成功地在硅衬底上制备的ZnO薄膜,经XRD和EDS检测,薄膜的c轴取向一致,Zn、O原子百分比接近于1:1,成膜质量好. 相似文献
112.
Let R be a ring with identity,and R-fil denote the set of all left topolo-gizing filters on R.In this paper,we give a sufficient condition for the commutativityof R-fil under the hypothesis of left Noetherianness,as well as some examples. 相似文献
113.
运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献
114.
根据塑料挤出的特点,在编程实现对型材截面轮廓凸凹性自动判断的基础上,采用射线法与比例间隔法相结合的方法,确定流道入口圆周上型值点的位置.以三次多项式作为流道模腔型曲线的数学模型,依据流线型要求给出的初始、边界条件,得出型曲线的数学方程.构建了挤出模流道的三维参数化曲面模型.有限元分析结果显示,该方法创建的流线型流道模型,其流动稳定性和平顺性都优于直线型流道. 相似文献
115.
A Kondo model in a square tight-bonding lattice of conduction electrons is considered.The Kondo interaction takes a d-wave.Using mean-field theory and numerical simulations,it is found that there is a pseudo-gap for the impurity density of states at the Fermi level.Numerical results also show that the exponents of the lowtemperature thermodynamic quantities are non-universal but dependent on the interaction. 相似文献
116.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
117.
在backstepping程序中,把非线性自适应控制和鲁棒控制连接起来,为参数化的严格反馈系统在不确定性存在的情况下,建立了一种鲁棒自适应控制方案.非线性自适应控制被用来处理系统的线性参数化部分,而鲁棒控制通过引进非线性阻尼项被用来处理不确定性部分.与现有的方案不同,作者给出了非线性阻尼项的无限种选择,而不是仅仅一种选择.通过使用一种合适的选择,能够设计一个鲁棒自适应控制器.它不仅能够保证对不确定性的鲁棒性,而且能够使输出误差任意小,以及用较小的控制努力取得较好的性能. 相似文献
118.
119.
120.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献