C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究

在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·     

Entanglement of Momentum for a Single Photon with a Single Atom

In this talk, the interaction of a single photon injected to a single atom is studied, for which initially the photon is uncorrelated with the atom. The spontaneous emitted photon will then evolve to be entangled with the atom on their continuous kinetic variables （momentum） in the process of resonant scattering. We find the relations between the entanglement and their physical control parameters （such as the linewidth of the injected photon wave packet, and that of the atomic wave packet, etc. ）, which indicates that high entanglement can be reached by broadening the scale of the atomic wave or squeezing the linewidth of the incident single-photon pulse.     

混料试验中的确界约束与多余约束

在混料问题中,经常出现附加的混料约束.对于单分量上、下界约束系,我们证明:只存在两种非确界约束,或者都是单侧的,或者只有一个分量存在双侧非确界约束,不可能有两个分量存在异侧非确界约束.对于分量线性组合上、下界约束系和复合约束系,我们分别给出了关于多余约束的判别方法,并用了一些数值例子说明这些判别方法.     

类DLVO理论与胆固醇单水结晶形成过程

就人体胆汁胆固醇单水结晶形成过程提出了类DLVO理论,应用该理论初步阐明了其结晶过程可能的化学物理机制,并分析了该理论在促、抗成核因子及溶石方面的意义.     

环上矩阵的广义Moore-Penrose逆

本文给出带有对合的有1的结合环上一类矩阵的广义Moore-Penrose逆存在的充要条件，而这类矩阵概括了左右主理想整环，单Artin环上所有矩阵。     

二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器

介绍了二极管激光侧泵浦单横模１００Ｈｚ电光调Ｑ激光器的实验结果。泵浦源为一个线阵准连续１００Ｗ二极管激光器，激光工作介质为ＮｄＹＡＧ薄梯形板条，板条与泵浦源间用柱透镜耦合，ＫＤ＊Ｐ电光晶体调Ｑ。在１００Ｈｚ重复频率下，获得单脉冲能量２．３７ｍＪ，脉宽小于７ｎｓ，光束质量因子Ｍ２＝１．１的１．０６μｍ激光，光－光效率为８．５％，斜效率为１８．７％。     

双桥反应及其应用

双桥反应及其应用刘颖，杨小震，刘跃（牡丹江师范学院化学系，黑龙江１５７４２２）（中国科学院化学研究所，北京１０００８０）根据反式消去、反式加成反应￣［１，２］，人们提出了非经典三元环离子结构（我们称之为单桥结构）。在被负离子进攻之前，该三元环结构始终...