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半导体量子点在低温下产生谱线细锐的激子发光可制备单光子源.光纤耦合可避免低温共聚焦装置扫描定位和振动影响,是实现单光子源即插即用和组件化的关键技术.在耦合工艺上,基于微区定位标记发展出拉锥光纤与光子晶体腔或波导侧向耦合、大数值孔径锥形端面光纤与量子点样片垂直耦合等技术;然而,上述工艺需要多维度精密调节以避免柔软光纤的畸形弯曲实现对准和高效耦合.陶瓷插针或石英V槽封装的光纤无弯曲且具有大平滑端面,只要与单量子点样片对准贴合就可保证垂直收光, V槽封装的排式光纤还可通过盲对粘合避免扫描对准,耦合简单.本文在前期排式光纤粘合少对数分布Bragg反射镜(distributed Bragg reflector, DBR)微柱样片实现单光子输出基础上,经理论模拟采用多对数DBR腔提升样片垂直出光和光纤收光效率,使光纤输出单光子计数率大大提升. 相似文献
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Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences (series I: 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ: 1.75 × 10^17 ions/cm^2) are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott's equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition (IMT). However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott's equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry (RBS) is applied to confirm the actual fluence for these two series. 相似文献
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理论上研究Rashba自旋-轨道相互作(SOI)量子线在外电磁波辐照下的电子自旋极化输运性质.在自由电子模型下利用散射矩阵方法,发现当Rashba SOI较弱时,自旋极化率与外电磁场频率和电子入射能量无关,而当Rashba SOI较强时,自旋极化率则强烈依赖于外场频率和电子入射能量,其物理根源是Rashba SOI使子带混合引起的.此外,当电子的入射能量增加到打开另一通道阈值时,电子的透射率出现一个反常的台阶结构,这来源于电子与光子的非弹性散射而使电子在子带间的跃迁.
关键词:
量子线
电磁波
自旋极化输运
散射矩阵 相似文献
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Unusual Transport Properties near the Insulator-Metal Transition in Colossal Magnetoresistive Manganites 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
It is argued that a combination of the Griffiths theory and the double-exchange mechanism predicts the random distribution of ferromagnetic metallic clusters above the Curie temperature TC in colossal magnetoresistive manganites. Along this line, we propose a model for the temperature dependence of resistivity that yields a quantitative agreement with experimental data obtained in a typical manganite La2/3Ca1/3MnO3. Our result indicates that the formation and growth of ferromagnetic metallic clusters are responsible for the observation of unusual transport properties near the insulator-metal transition. 相似文献
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Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献