基于分子器件的研究

分子电子学研究的是分子水平上的电子学,同传统的固体电子学相比,分子电子学有着很多优势。近年来在理论和实验上都有了很大的发展,本文对国内外的研究现状及进展进行了总结和归纳,并探索了未来的发展方向。     

中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用及校正图版制作

讨论了中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用，用国际通用的核数据库和中子输运离散纵标程序ＤＯＴ４．２对不同岩性、几何尺寸和地质环境条件（如岩层化度等）的模型井进行了响应曲线的数值模拟计算，从而实现了中子测井的正演计算，同时根据计算结果制作了不同测井环境条件下的理论校正图版，结果令人满意，研究结果测井工作有一定的参考价值。     

矩方法及其在束流输运中的应用

本文用矩方法研究了考虑二阶象差和系统公差时的束流传输问题,导出了六维统计束流相空间的传输方程.其结果可用于束流传输系统的物理设计.     

非线性尘埃-漂移波的复杂结构

采用流体模型，研究尘运行等离子体中的非线性尘埃－漂移波。极低频的尘埃－静电漂移波，通过非线性互相作用，形成局域的涡旋结构。研究发现，涡旋强度与等离子体中尘埃含量和离子－电子温度比有密切的关系。等离子体中形成的大量涡旋横越磁场运动，导致了等离子体的反常输运。     

标量电动力学的量子输运理论

在本文,我们推导出了标量粒子的一般量子输运方程和限制方程,并研究了Hartree近似下的量子输运理论。     

用输运过程的微观解释比较两种碰壁数

在输运过程中是以1/4n(?)个分子参加输运还是以1/6n(?)个分子参加输运,这是输运过程中一个使人困惑的问题.本文拟用输运过程的微观解释,以扩散现象为例,在分子按自由程分布规律的基础上,减少简化假设得出输运系数,说明两种碰壁数都是可靠的,进一步阐明输运过程微观解释的物理意义。     

^4He^＋离子在C和Cu上能量沉积系数的理论计算

利用部分地考虑能量损失的角关联的改进离子输运双群模型，计算了＾４Ｈｅ＾＋离子垂直入射到Ｃ和Ｃｕ上的能量沉积参数，改进了早期的离子输运双群模型。     

纳米脱溶相改善铋系2223银包套带材磁场下的输运性能

通过后期的氧气氛退火工艺,在Ｂｉ２２２３／Ａｇ 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能．ＸＲＤ 和ＳＥＭ 分析表明退火过程中,从（Ｂｉ,Ｐｂ）２２２３ 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子．钉扎力的标度表明这些细小的纳米脱溶相在材料中引入额外的钉扎中心,提高了材料的磁通钉扎能力     

高温超导体Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ的热导

测量了高温超Ｈｇ０．９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热导率,温度范围为２０～３００Ｋ。在超导转变温度Ｔｃ以下观察到热导率明显的增加。在６５Ｋ（～０．５Ｔｃ）附近,超导体的热导率表达到了一个宽的极大,热导率的极大值为的１．６倍。用正常态电子散射的模型对实验结果进行了拟合。