首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5607篇
  免费   1405篇
  国内免费   837篇
化学   627篇
晶体学   200篇
力学   37篇
综合类   59篇
数学   89篇
物理学   3816篇
综合类   3021篇
  2024年   32篇
  2023年   119篇
  2022年   149篇
  2021年   159篇
  2020年   117篇
  2019年   110篇
  2018年   49篇
  2017年   96篇
  2016年   112篇
  2015年   162篇
  2014年   335篇
  2013年   270篇
  2012年   323篇
  2011年   353篇
  2010年   290篇
  2009年   324篇
  2008年   465篇
  2007年   368篇
  2006年   314篇
  2005年   366篇
  2004年   306篇
  2003年   360篇
  2002年   306篇
  2001年   313篇
  2000年   239篇
  1999年   214篇
  1998年   192篇
  1997年   258篇
  1996年   200篇
  1995年   208篇
  1994年   141篇
  1993年   106篇
  1992年   129篇
  1991年   105篇
  1990年   112篇
  1989年   96篇
  1988年   19篇
  1987年   14篇
  1986年   3篇
  1985年   5篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   3篇
  1965年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有7849条查询结果,搜索用时 7 毫秒
31.
太阳能LED路灯照明系统优化设计   总被引:9,自引:0,他引:9  
在珠海完成国内第一个太阳能LED路灯示范工程的工作基础上,从路灯光源、控制电路、太阳电池组件最佳倾角确定、太阳电池组件和蓄电池容量确定等几个方面对太阳能路灯进行了设计优化,做到既能保证系统的稳定可靠运行,又能尽量减少系统规模和降低成本.结果表明采用LED作为路灯光源、直接耦合的方式的充放电控制器是太阳能路灯很好的选择,同时通过科学计算的方法对在珠海地区使用时太阳电池组件最佳倾角和组件和蓄电池容量进行了讨论.使用的方法和结论可以为的其他的太阳能路灯设计提供有力的帮助.  相似文献   
32.
建立了半导体温差发电器件的基本模型;从稳态的热传导方程出发,对发电器件进行了热力学分析,推导出P型和N型半导体内部的温度分布函数及输出功率和发电效率的表达式;测定了一种Bi-Te-Sb-Se半导体热电材料在低温下的塞贝克系数随温度的变化关系,绘制了曲线并进行数值拟合;结果表明,该种半导体热电材料在低温下性能不佳,需改进配方或生产工艺方可使用。  相似文献   
33.
半导体表面的研究是半导体物理中极为活跃的一个分支,因为半导体器件的体积越来越小,靠近半导体表面附近的物理性质越来越重要。笔者系统地对半导体表面态进行了综述。认为当波矢K取复数时局域于表面附近存在表面电子态,其波函数体内、体外都衰减。同时对半导体表面研究的发展历程、现状以及前景进行了展望。  相似文献   
34.
本文介绍了半导体纳米粒子气—固复相光催化氧化法的原理及影响因素,探讨了气相有机物光催化降解的过程和动力学,综述了提高半导体纳米粒子光催化活性的途径,讨论了气相有机污染物光催化降解进一步研究的方向,并对应用前景作出展望。  相似文献   
35.
光子晶体是一种新型功能材料,其最基本的特征是具有光子频率带隙,频率落在带隙内的电磁波被禁止在光子晶体中传播。本文简述了光子晶体的基本性质和理论研究方法,介绍了光子晶体的制备,并对光子晶体的应用前景给予了简短的评述。  相似文献   
36.
方小明 《海峡科学》2003,(12):27-29
本文从实践中介绍船舶制冷压缩机长时间运转的故障的经过、原因分析及由此总结出的预防措施,以避免今后此类故障经常发生。  相似文献   
37.
对运用表面光电压技术(SPS)对半导体材料光电性质的研究进行了综述,系统阐述了表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)在测定半导体类型、表面态及其能级位置、表面电荷分布、半导体的能带隙等方面所表现出的优越性质.研究了半导体能带隙所表现出的特有性质.  相似文献   
38.
基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”.n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。  相似文献   
39.
基于半导体致冷器数学模型的TEC制冷系统的效率估算   总被引:5,自引:0,他引:5  
为了对半导体制冷系统的制冷效率进行估算,通过建立半导体致冷器(TEC)的数学模型,并结合机械连接形式的TEC制冷系统,给出了半导体制冷系统制冷效率的估算公式.  相似文献   
40.
硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号