化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜

用化学气相沉积法制备碲薄膜,其步骤为：通过电化学方法制得碲化氢,碲化氢在室温下分解后在聚乙烯塑料箔上沉积得到碲薄膜.用傅里叶红外光谱仪、紫外/可见/近红外光谱仪、X射线衍射仪及扫描电镜表征碲薄膜的光学性能和结构.结果表明,化学气相沉积法在Mn-O覆盖的聚乙烯塑料箔上沉积得到的碲薄膜在大气窗口（8～13μm）光谱区域具有很高的透过率,同时能阻挡几乎所有的太阳光谱,表明碲薄膜是适用于辐射制冷装置的太阳光辐射屏蔽材料.     

热电物理的研究进展

热电效应在发电，致冷方面有巨大的应用潜力，这些年来，人们为提高热电能量转换效率进行了不懈的努力，文章概述了从机理上提高材料热性能的一般途径，在此基础上，介绍了最近几年在氧化物超导体，ＴＰｎ３化合物，富硼固体等新材料体系中，以及在非均匀材料，复合型材料，量子阱结构等新形式材料中的研究结果。     

醇体系中合成CuGaS2纳米晶及其形貌演变

以CuCl2·2H2O,自制的GaCl3和(NH2)2CS为原料,在乙二醇体系中合成了花状结构的CuGaS2纳米晶．产物分别用X射线粉末衍射仪、透射电子显微镜、场发射扫描电子显微镜、高分辩透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行了表征．实验结果表明,220℃反应24 h得到均匀的花状纳米结构CuGaS2,它是由厚度80-100 nm的片晶组成．同时,通过反应时间的控制,可以清楚的看到由纳米颗粒到纳米球以及花状纳米结构的演变过程．另外,研究了反应温度、反应时间、溶剂等对产物和形貌的影响．此外,对花状结构纳米晶的生长机理进行了初步的探讨．室温荧光光谱表明,随粒径的降低,发光位发生了部分蓝移．     

基于单端半导体光放大器的可调谐超短光脉冲源理论与实验研究

超短光脉冲源是光时分复用(OTDM)系统中的关键器件.提出了一种基于单端半导体光放大器(SOA)的注入型主动锁模光纤激光器产生超短光脉冲的方案，建立了该方案的理论模型.实验实现了高消光比稳定的重复频率10—40GHz皮秒级光脉冲的输出，输出波长在30nm范围内连续可调. 关键词： 超短光脉冲 单端半导体光放大器 主动锁模     

宽能带隙电子器件

硅集成电路和数据存贮是两种最成功的技术，目前，这两种技术继续以高速度发展。在集成电路技术中，按照摩尔定律，一块芯片上的晶体管数目每隔18个月就会翻一翻。而对于磁盘驱动技术，自1991年起磁头的总体位密度以每年60％至100％的速率增加。集成电路是通过对半导体应用电场控制载流子流动来工作的，因此关键的参数是电子或空穴上的电荷。而在磁性数据存贮中关键的参数是电子的自旋。     

光纤环形外腔半导体激光器频偏特性研究

本文给出了在环形光纤外腔光反馈之下半导体激光器频偏特性的小信号分析理论.分析表明,尤其在千兆赫以下的调制频段中,耦合腔相移、内外腔光耦合强度及内外腔光场相位失谐对频偏功率比均有显著影响.可望用作强度调制直接检测高速率、长距离光纤通信系统中的光源.     

半导体反型层中的电子关联和多体波函数

本文运用CBF(correlation basis function) 理论, 由电子间的有效势V_eff_(R) 和电子气的集体振荡行为, 给出准二维电子体系— 半导体反型层中的电子的关联因予U (R), 得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数. 关键词：     

半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器新进展

本文作者曾于1991年4月采用国产元器件建立了国内第一台半导体激光泵浦的掺铒光纤放大器,当时增益为5.6dB.经过进一步的技术改进措施,依然是采用全部国产元器件,其增益已高达17.4dB.于1992年10月30日在上海市科委主持下,通过了以学部委员张煦教授为主任的鉴定委员会鉴定,得到好评     

多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析

利用Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱（ＭＱＷ）系统的束缚电子级公式，并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应ＭＱＷ系统量子能级的差异。     

半导体激光泵浦预激光锁模调Q固体激光器研究

报道半导体激光侧面泵浦预激光锁模调Ｑ的Ｎｄ：ＹＡＧ固体板条激光器，预激光锁模调Ｑ的激光脉冲宽度为３６ｐｓ，调Ｑ包纤各心的锁模单脉冲能量超过７μＪ，相应的峰值功率达２００ｋＷ。