基础解系的一种算法

文章用矩阵理论得出几个新结论,从而应用新结论得出基础解系的一种算法.     

微型工厂走进制造业

对于许多小型产品来说，现有生产系统的规模，与其生产对象相比，往往显得庞大无比。比如象手表、照相机等小型精密机械，都是由众多“毫米”级的零件组成的；而用于加工这些零件的机床等设备，其尺寸却是“米”级的。更有甚者，将这些小零件组装成小型产品(成品)的设备，则是由众多与真人差不多大小的机器人构成的生产线，其长度则达二、三十米的程度，设备与产品的数量级形成巨大反差。再说半导体工业吧，其发展是随着高技术化、高集成化的发展而发展的，其结果则是制造设备的大型化、大规模系统化，于是设备制造成本猛增、生产系统的柔性受到严重制约。为此，就需要一种与产品尺寸数量级相应的小型制造设备来制造、组装小型产品的微型生产系统，即所谓的“微型工厂”。其目的就是要在有限的狭小空间内巧妙地统筹安排加工、组装、搬运、检验等多道工序所用的设备，建立一种微型的生产系统，使之具有生产微型产品的能力。     

机器人路径规划的计算机模拟及统计分析

以计算机模拟为辅助工具 ,讨论了机器人路径规划的算法 ,提出一种简化算法二次规划 ,既可避免组合爆炸 ,又能得到一个较优的解 ,即满意解     

Y2O2S∶Eu3+,Mg2+,Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响

Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+长余辉材料制备中烧结条件和助熔剂的影响;Y2O2S∶Eu3+;Mg2+;Ti4+; 烧结条件; 助熔剂; 发光性质     

助熔剂N_aCl－CdCl_2对CdS∶Cu，In结晶状态作用规律研究

发现在确定的热处理温度和时间下，随炉料中助熔剂ＮａＣｌ－ＣｄＣｌ２，总含量的增加，ＣｄＳ：Ｃｕ，Ｉｎ多晶的粒度分布变窄，数均粒径具有最大值，晶粒外型趋于规整且表面平滑．进而证明，多晶的结晶状态对其光电性能具有显著的影响．     

红外碳硫分析仪所用瓷坩埚的重复使用

美国Leco CS-344红外碳硫分析仪，具有操作简便、快速、分析结果准确等特点。由于生产中只要求分析试样中的碳，根据红外碳硫分析仪的特点，以及分析试样后的氧化渣有助熔的特效，进行了瓷坩埚重复使用的试验工作。通过试验，证明瓷坩埚在一定条件下可以重复使用5次之多，且可减少助溶剂的用量，在一定程度上还能提高分析质量。     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

纳米TiO2的光生电荷迁移特性研究

利用场诱导光电压谱(简称FISPS)和瞬态光伏(简称TPV)技术研究了TiO₂的光生电荷的产生和传输机制.发现光生电荷在体块TiO₂上的迁移机制不同于在纳米TiO₂上的迁移机制，也不同于在结界面空间电荷区的迁移机制. 400 ℃处理的TiO₂颗粒表面具有大量的表面态，光生电荷被表面态捕获-释放机制控制着光伏行为的过程是慢过程. 800 ℃处理的TiO₂已经形成了完整的能带结构，光伏响应除了表现带-带跃迁外,还有一个在带边的自由激子带，光生电荷被表面自建场驱动进行传递的过程是快过程. 600 ℃处理的TiO₂混晶由锐钛矿型和金红石型两种构型组成，在两相之间存在着较低势垒的结界面．它的光伏响应受控于两种机制 ：光生电荷在两相间结界面空间电荷区的传输和在表面自建场驱动下的传输.当激发光强较小时，界面空间电荷区的光生电子由于积累的浓度较小而不能隧穿过结界面，这种场助隧穿只有在外场作用下才能发生.     

双金属双加速带状助熔剂的研究与应用

随着化学分析、冶金、矿山工业质量控制实验室的不断发展 ,测定钢铁碳燃烧气体分析仪的水平在不断提高 ,如容量半自动定碳仪、高速自动定碳仪等 ,但此几种类型的燃烧气体定碳仪 ,测定钢铁试样的助熔剂为锡粒、钨粉、硅钼粉等。而研究全复盖带状、双金属、双加速助熔剂尚不多见。1　仪器与试剂Ｄ .Ｔ半自动容量定碳仪Ｄ .Ｔ管式高温电炉 (三管式 )ＨＶ 2型高速自动定碳仪双金属带状助熔剂瓷舟经通氧燃烧后 ,放入干燥器内备用。2　双金属、双加速带状助熔剂的试验碳的燃烧气体分析测定 ,是复杂的物理化学变化过程 ,尽管条件一致 ,测定结果亦有…     

锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究

用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱，通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸，柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀形得改善，实验研究了锑化镓的平带电势的测定。