基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

蚕沙提取果胶水解环境研究

果胶的提取率和质量与水解的环境关系密切 .本文重点在蚕沙中提取果胶从产率和颜色方面对水解的环境进行一些定性和定量的研究 ,获知各水解介质采用 0 3 %的稀硫酸液、温度 70— 80℃ ,时间 1h、pH1 5 ,提取的果胶从质量和产率上较理想     

a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联

以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性. 关键词： 氟化非晶碳膜 光学带隙 退火温度 热稳定性     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

抗地震结构的服役费用函数及其建立方法

讨论了服股工程结构的经济性问题，包括：抗地震结构在服役过程中为完成预定功能所需要的经济花费，这些花费同结构抗震可靠度的函数关系以及它们的建立方法。形成的服役费用函数可以作为决策结构最佳抗震设防标准的依据。     

QGP热力学势中的屏蔽和阻尼效应

采用含有Debye屏蔽和阻尼效应的胶子谱函数, 在实时温度QCD理论的框架下计算了夸克胶子等离子体中有效二圈热力学势, 得到了依赖于胶子屏蔽和阻尼作为物理参数的解析结果. 数值计算表明, 我们的结果与格点QCD理论计算的最新结果在温度T≥2T_c时相符.     

Structural Characteristics of Liquid Sn

We investigate the structural properties of liquid Sn. With the help of the internal friction (tanФ) method, it is found that a peak appears in the tan Ф - T curve, suggesting that an anomalous discontinuous temperatureinduced structure change may take place in liquid Sn. From the experimental data of pair distribution functions, we calculate the viscosity η and the excess entropy S and it is found that there are a peak of viscosity in the η-T curve and a bend of excess entropy in the S - T curve, which give a positive support to the appearance of the internal-friction peak in the tan Ф- T curve.     

连续激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算

在实验的基础上，分析表面蒸发Zn的InP样品在连续激光诱导下掺杂Zn过程.在一维热传导问题的第三类边界条件下，给出激光辐照有限厚双层材料Zn/InP温度分布的一种直观简洁的解析形式. 关键词： 激光诱导掺杂 Zn/InP 温度分布     

偏硼酸钠与镁和氢反应的硼氢化钠生成

高的氢压和反应温度有利于片硼酸钠与镁和氢反应生成硼氢化钠，但温度接近镁的熔点时不利于硼氢化钠的生成。在反应物中添加铁、镍和钴将加速硼氢化钠的生成，而铜的加入却阻碍硼氢化钠的生成。     

Soliton Solution of SU（3） Gauge Fields at Finite Temperature

Starting from a soliton model of SU（3） gauge fields, we investigate the behaviour of the model at finite temperature. it is found that colour confinement at zero temperature can be melted away under high temperatures.