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本文通过燃烧法在700~850℃制备了CaMoO4∶Tb3+固溶体发光材料。研究了反应温度与粉末的结构、粒径以及发光性质之间的关系。同时也探讨了材料的优化工艺条件,即最佳燃烧温度为800℃,燃烧5 min,最佳Ca2+与Tb3+的物质的量比为1∶0.05左右。所得CaMoO4∶Tb3+材料在295 nm处近紫外光激发下发射出较强的544 nm处的绿色光,对应于Tb3+的5D4-7F5跃迁。由于配位场对Tb3+的微扰导致544 nm处的发射峰产生了Stark分裂。 相似文献
104.
Wen-sheng Zhang Guan-quan Zhang 《计算数学(英文版)》2006,24(4):463-474
The alternately directional implicit (ADI) scheme is usually used in 3D depth migration. It splits the 3D square-root operator along crossline and inline directions alternately. In this paper, based on the ideal of data line, the four-way splitting schemes and their splitting errors for the finite-difference (FD) method and the hybrid method are investigated. The wavefield extrapolation of four-way splitting scheme is accomplished on a data line and is stable unconditionally. Numerical analysis of splitting errors show that the two-way FD migration have visible numerical anisotropic errors, and that four-way FD migration has much less splitting errors than two-way FD migration has. For the hybrid method, the differences of numerical anisotropic errors between two-way scheme and four-way scheme are small in the case of lower lateral velocity variations. The schemes presented in this paper can be used in 3D post-stack or prestack depth migration. Two numerical calculations of 3D depth migration are completed. One is the four-way FD and hybrid 3D post-stack depth migration for an impulse response, which shows that the anisotropic errors can be eliminated effectively in the cases of constant and variable velocity variations. The other is the 3D shot-profile prestack depth migration for SEG/EAEG benchmark model with two-way hybrid splitting scheme, which presents good imaging results. The Message Passing Interface (MPI) programme based on shot number is adopted. 相似文献
105.
为研究旋转气流对液体射流分裂与雾化的影响,建立了旋转气流中的空心柱形黏性液体射流三维模型,对气流旋转强度在射流分裂与雾化的作用进行分析计算.结果表明,低速射流的分裂破碎机理与高速射流的雾化机理不同.在低速射流中,内部气流旋转强度对射流的稳定性影响不大,但外部气流旋转强度却起着稳定性的作用;在高速射流过程中,内部气流旋转强度始终起着不稳定性的作用,而外部气流旋转强度对轴对称扰动的影响不大,但对非轴对称扰动均起着不稳定性的作用. 相似文献
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为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
107.
108.
109.
徐智 《中央民族大学学报(自然科学版)》2021,(3):16-18
矩阵求逆作为线性代数的一个重要研究内容,在通信工程、计算机、物理学等领域有着广泛的应用.本文探讨了针对矩阵求逆的一类位移分裂迭代算法,同时分析了该方法在求逆矩阵时的收敛性,并用具体的数值实验验证了该方法的可行性. 相似文献