硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构间的关系

本首次用图论方法探讨了硅烷、锗烷和锡烷的沸点与其分子结构之间的关系，提出一结构基础明确的、普遍适用于硅烷、锗烷和锡烷的定量关系。计算结果表明，沸点预测值都接近实验值。应用本定量关系，不仅能够预测硅烷、锗烷和锡烷的沸点，而且有助于揭示物质结构性能关系之间的奥秘。     

一类平面三次系统的极限环

本文给出原点为细焦点的三次系统｛ｘ＝－ｙ＋ａｘ＾３＋βｘ＾２ｙ＋λｘｙ＾２ ｙ＝ｘ＋ρｘ＾３＋αｘ＾２ｙ＋βｘｙ＾２＋λｙ＾３ （１）当ρ〉０时存在或不存在极限环的条件。     

修配法解装配尺寸链的简易计算

推导出了修配法解装配尺寸链的简易计算公式．使修配法分析计算更为简便，更易于掌握。     

关于绝对半素环和绝对半素根

本文了绝对半素环的概念，研究了绝对半素与与半素环及素环之间的关系，讨论了由全体绝对半素环类决定的上根－－绝对半半素根及其性质。     

一类稀疏效应下捕食┐被捕食者系统极限环的存在性和唯一性

本文研究捕食者种群具有线性密度制约的一类稀疏效应下捕食－被捕食者系统ｘ＝ｘ（ａｘ－ｃｘ３－ｂｙ），ｙ＝ｙ（－α＋βｘ－γｙ）．（＊）得到：（１）当Ａ１＜Ａ１，Ａ２＜Ａ２，Ａ３＞Ａ３时，系统（＊）在第一象限内存在极限环；（２）当Ａ２＜Ａ２，Ａ３＞Ａ３时，系统（＊）在第一象限内存在唯一极限环     

关于一类二次哈密尔顿系统在二次扰动下的极限环个数问题

本文研究了一类具有两个鞍点和一个中心的通用二次哈密尔顿向量场在二次扰动下的三参数开折，证明极限环的最小上界为２。     

α,α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛的NMR研究

报道了5种新的α，α′-二氧代烯酮环二氮代缩醛化合物的NMR谱，初步探讨了分子结构对化学位移的影响．     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

有1结合环的交换性定理

讨论了有１结合环的交换性问题。推广了Ｒ．ＤＧｉｒｉ．等人的结果。