全文获取类型
收费全文 | 1712篇 |
免费 | 287篇 |
国内免费 | 64篇 |
专业分类
化学 | 117篇 |
晶体学 | 53篇 |
力学 | 4篇 |
综合类 | 7篇 |
数学 | 4篇 |
物理学 | 813篇 |
综合类 | 1065篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 36篇 |
2022年 | 38篇 |
2021年 | 55篇 |
2020年 | 50篇 |
2019年 | 53篇 |
2018年 | 44篇 |
2017年 | 65篇 |
2016年 | 75篇 |
2015年 | 73篇 |
2014年 | 198篇 |
2013年 | 155篇 |
2012年 | 198篇 |
2011年 | 221篇 |
2010年 | 172篇 |
2009年 | 130篇 |
2008年 | 106篇 |
2007年 | 79篇 |
2006年 | 46篇 |
2005年 | 48篇 |
2004年 | 31篇 |
2003年 | 42篇 |
2002年 | 22篇 |
2001年 | 23篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 14篇 |
1998年 | 10篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 14篇 |
1995年 | 13篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 5篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 2篇 |
排序方式: 共有2063条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
在电灯发明之后的100多年里,照明技术的不断发展使白炽灯和荧光灯面临着严重的威胁.特别是发光二极管技术的逐步成熟,引发了照明光源的一场技术革命.不仅仅是红绿灯,在大型屏幕显示、室内照明、汽车车灯、广告标志等所有需要光亮的地方,发光二极管都将取代传统的照明设备,成为未来的重要光源. 相似文献
73.
Internal quantum efficiency drop induced by the heat generation inside of light emitting diodes (LEDs) 下载免费PDF全文
The reasons for low output power of AlGaInP Light Emitting Diodes (LEDs) have been analysed. LEDs with AlGaInP material have high internal but low external quantum efficiency and much heat generated inside especially at a large injected current which would reduce both the internal and external quantum efficiencies. Two kinds of LEDs with the same active region but different window layers have been fabricated. The new window layer composed of textured 0.5 μm GaP and thin Indium-Tin-Oxide film has shown that low external quantum efficiency (EQE) has serious impaction on the internal quantum efficiency (IQE), because the carrier distribution will change with the body temperature increasing due to the heat inside, and the test results have shown the evidence of LEDs with lower output power and bigger wavelength red shift. 相似文献
74.
采用高温固相法制备了荧光粉Y2-x(W,Mo)O6:Eu3+,xLi+,利用X射线衍射仪和电子扫描显微镜对样品的结构和形貌进行了表征,并利用荧光光谱法分析了样品的光谱特性.首先在Y2WO6中掺入少量的Mo6+离子,掺入Mo6+后增加了原Y2WO6:Eu3+的激发光谱在近紫外光区的吸收,扩展了激发光谱的谱宽,但却使Y2W... 相似文献
75.
76.
用高温固相法合成了用于白光LED的Na2Ca4(1-x-y)(PO4)2SiO4:xEu3+,yBi3+红色荧光粉.研究了助熔剂H3BO3、二次煅烧时间和稀土掺杂量等制备条件对样品发光性质的影响.结果表明,在1 200℃、助熔剂H3BO3加入量为样品质量的3.8%时可得到更有利于发光的α-NCPS基质,而且掺入Eu3+、Bi3+之后,基质的晶格结构没有发生明显变化;适宜的二次煅烧时间为1.5 h.Bi3+的共掺杂可以通过能量传递大幅提高Eu3+的发光强度,当Eu3+、Bi3+的摩尔分数分别为x=0.04和y=0.01时,粉体具有最强的红光发射.表明这种荧光粉是一种可很好用于近紫外芯片的白光LED的红色荧光粉. 相似文献
77.
78.
未来的照明光源--白光LED技术及其发展 总被引:22,自引:0,他引:22
白光是黑白和彩色摄像机的照明光源,可以替代白炽灯、荧光灯和高压气体放电灯等传统光源。介绍了白光LED技术的原理、特点、发展方向。 相似文献
79.
利用共沉淀法通过控制稀土离子浓度、沉淀温度等得到稀土氧化物前驱体沉淀,再将其和H3BO3 按化学计量比混合煅烧制备出了平均粒径在 0. 5~1. 0μm的球形、粒径分布较小和无团聚的 (Y,Gd)BO3∶Eu荧光粉,其性能在一些方面优于商用荧光粉。利用X射线衍射、SEM、粒度分析仪和PL光谱进行表征。研究了不同的煅烧温度对荧光粉性能的影响,结果发现用本实验方法在 800 ℃煅烧即可得到纯相的(Y,Gd)BO3∶Eu。而传统固相合成纯相的(Y,Gd)BO3∶Eu反应温度高达 1 200℃。因本方法工艺较易控制,适于在工业生产上推广。 相似文献
80.
采用喷雾热解法制备红色荧光粉LiEu(SiO2)1/6W2O8。研究了反应温度、前驱体溶液浓度、载气流速对实验结果的影响。通过扫描电镜、X射线衍射、激发和发射光谱对所制样品进行了研究,发现样品颗粒呈实心类球形、结晶度好、表面光滑、发光强度较高、粒径平均1.5μm左右且分布较窄。该类荧光粉激发主峰位于396nm,发射主峰位于615nm。LiEu(SiO2)1/6W2O8发光的色坐标为:x=0.667 9,y=0.3310,与NTSC的红色标准基本一致,该荧光粉色纯度非常高,适用于制造紫光芯片激发的白光LED。用喷雾热解法制备红色荧光粉LiEu(SiO2)1/6W2O8的研究尚未见报道。 相似文献