叠氮烷烃环加成反应合成C60衍生物及其聚合物太阳电池的特性

通过烷基叠氮化合物与C₆₀的环加成反应合成了一系列以长链烷烃取代C₆₀的亚氨基衍生物,研究了其紫外-可见光吸收特性及电化学性质,并考察了由这些材料和聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔](MEH-PPV)制成的聚合物光电池的性能.这类器件的能量转换效率介于0.13～0.37之间,随着所接烷基链的增长和支链数目的增加,衍生物的溶解度逐步提高,器件的短路电流随着衍生物溶解度的提高而增加,最高可达到1.77mA/cm²,这类器件具有较极大的光暗比,有可能首先在传感器方面得到应用.     

含有p-n单元的苝聚酰亚胺的合成及其敏化光电池的性能研究

设计、合成并表征了含有p-n(供电子-吸电子)单元的苝聚酰亚胺PPI, 并研究了其作为敏化电极材料的光电池的性能. 产物为非晶态. 从电子谱中计算出其能带带宽为2.16 eV, 用电化学循安伏安法计算得到其电子亲和势(E_a, 最低空轨道能级)为－3.97 eV, 离子势(IP, 最高占据轨道能级的绝对值)为6.13 eV, 其能级与二氧化钛的能级相匹配, 对二氧化钛有较好的敏化作用. 光电池的光电流作用谱(IPCE)与紫外电子谱十分相似, 光电压与光强之间有指数的关系. 用苝聚酰亚胺为敏化剂的光电池的光电转换效率为0.0135%.     

光电池在光栅位移检测中的应用

光电池是一种根据光生伏特效应制成的直接把光能转变成电能的光电器件。本文根据光电池的光照短路电流与光强度成线性关系的特性,讨论了光电池在贴片机运动控制系统光栅位移检测中的应用,从而实现高精度的加工控制和定位。     

物质旋光率的自动测量

改进了传统的视场比较法测量物质旋光率, 采用光电池作为光强传感器, 经过一系列电路变换, 并用微型电机带动检偏器, 实现了自动、准确测量旋光物质的旋光率．     

光电池原理及其应用

 光电池是利用半导体光伏效应制成的光电转换器件.它既可以作为电源,又可以作为光电检测器件.作为电源使用的光电池,主要是直接把太阳的辐射能转换为电能,称为太阳电池.太阳电池不需要燃料,没有运动部件,也不排放气体,具有重量轻,工作性能稳定,光电转换效率高,使用寿命长,不产生污染等优点,在航天技术、气象观测、工农业生产乃至人们的日常生活等方面都得到了广泛的应用.     

层状结构氧化物太阳能电池

<正>奥地利、美国和德国的物理学家提出一种新的太阳能电池。这种太阳能电池的设计利用了十年前的一项发现:两个绝缘的氧化物的界面能够变成金属性的,这样在太阳能电池中就不再需要金属丝。如果能够降低生产层状结构氧化物的费用,这项研究就可导致一种新的高效光电池。在2004年,Harold Hwang和Akira Ohtomo发现,在绝缘体钛酸锶上面生长一层绝缘体钛酸镧时,在两者的界面上形成一层二维的电子气,使界面变成金属     

光电效应与光电器件的应用

 一、光电效应及其理论解释著名物理学家赫兹为了验证麦克斯韦预言的电磁波,于1887年发现当光照射在金属表面时,电子可以从金属中脱出这一物理现象。这一现象叫做光电效应,可以从金属中脱出的电子叫光电子。光电效应可以分为两类。一类是当光照射在金属表面时,电子从金属中脱出,叫做外光电效应。另一类是当光照射在某些半导体材料上时,被半导体材料吸收,并在其内部激发出导电的载流子(电子-空穴对),从而使得材料的导电率显著增加(所谓“光电导”);或者由于这种光生载流子的运动造成的电荷积累,使得材料两面产生一定的电位差(所谓“光生伏特”),这两种情况叫做内光电效应。光电效应的实验规律是光的波动理论无法解释的。     

基于嵌段共聚物的发蓝绿光聚合物发光电池的制备和表征

基于一种嵌段共聚物DMSN-TEO制备出了发蓝绿光的聚合物发光电池（LEC）,并对其光谱性质、电致发光特性和界面性质进行了表征。LEC结构为ITO/DMSN-TEO PEO(LiCF3SO3)/Al，起亮电压为2.5V，最大电致发光效率为4.2cd/A，最大流明效率为4.7lm/w,响应时间小于5s。交流阻抗研究这种LEC的界面性质表明，其发光机理符合电化学掺杂模型。     

ITO/BTEO-PPV：PUI/Al的光电特性

报道了用单离子导体聚氨酯酰亚胺磺酸钠(PUI)作为固体电解质和共聚[2,5-二(三乙氧基)-1,4-对苯乙炔]-[1,4-对苯乙炔](BETO-PPV)作为发光层的单离子聚合物发光电池(SLEC)的制作和测量。实验结果及其分析表明:不可移动阴离子的存在使SLEC的正反向稳态电流-电压(I-V)曲线不再对称;SLEC具有快速响应的主要原因是SLEC中固定的阴离子对阳离子的散射比LEC中运动的阴离子对阳离子散射小。SLEC的电容-频率(C-f)特性证实了阳离子在薄膜中具有较快的响应速度。     

不用Si的太阳能电池

Si太阳能电池的基本结构是pn结 .能量大于禁带宽度的光子可在 pn结中激发出电子 -空穴对 .在 pn结内电场的作用下 ,电子向n侧迁移 ,空穴向 p侧迁移 .结果 p侧的电势高于n侧 ,对外电路而言 ,光 -伏电流将从p端流向n端 .在Si光电池中 ,pn结担当了多种角色 :光能吸收、电子 -空穴对的产生、内场建立以及传输电流等 .为此 ,对材料的纯度要求特别高 ,以至于它的造价一直居高不下 .最近 ,来自美国加州大学的McFarland等 ,采用在TiO2 半导体基片上镀制金膜的办法 ,发展了一种全新的光生伏打电池 (Nature ,2 0 0 3,4 2 1:6 16 ) .它的核心是TiO2…