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271.
9 氯甲基蒽 ( 1 )与 3 ,5 二甲氧基苄醇 ( 2 )在相转移催化剂存在下反应生成 9 ( 3 ,5 二甲氧基苄基氧甲基 )蒽 ( 3 ) .( 3 )的苯溶液在紫外光照射下发生蒽环与苯环间的分子内 [4π + 4π]光致环加成反应 ,定量地生成多环化合物 ( 4 ) .( 4 )在热的作用下发生逆反应 ,定量地转化成原料 ( 3 ) .这种光致可逆反应可应用于制备光开关材料 .  相似文献   
272.
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解,锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜,用俄歇能谱证明,其主要成分为难溶的氧化锑,此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀,同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱,通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察,在刻蚀剂中添加酒石酸,柠檬酸和氢氟酸等试剂,可使刻蚀形得改善,实验研究了锑化镓的平带电势的测定。  相似文献   
273.
光同时诱导水中Cr(Ⅵ)的还原与橙黄Ⅱ的氧化;染料;橙黄Ⅱ;Cr(Ⅵ);光还原;光降解  相似文献   
274.
采用燃烧法合成了CeO2:Er纳米荧光粉,研究了不同粒径大小的CeO2:Er的晶型和晶貌并对该现象进。TEM结果表明无定形CeO2:Er包围着纳米晶CeO2:Er,可起到表面修饰的作用。光声光谱在保持纳米材料表面状态不改变的前提下,分析了不同粒径的CeO2:Er的光谱性质,解释了随纳米粒径减小CeO2光谱峰吸收峰有蓝移而Er^3 没有明显谱峰位移的原因。在荧光光谱中,发现小粒径的CeO2:Er有较大的红绿发射比,行了解释。  相似文献   
275.
童伟达  杨玉良  孙猛  于同隐 《化学学报》1989,47(10):984-989
本文用红外光谱法对O-酰基-α-酮肟R^2C(O)ON=C(R^1)C(O)R^1的光分解机理进行了研究, 并通过对反应物消失和分解产物生成的动力学方程的拟合, 求得了表观动力学速率常数。结果表明, N-O键断裂和Norrish反应在光分解反应中同时存在, 不同的R^1、R^2取代基影响这两种断裂方式的比例。  相似文献   
276.
以丙烯酸甲酯(MA,M1)和4-丙烯酰胺基-2,2,6,6-四甲基哌啶(AATP,M2)溶液光共聚合体系为研究对象,采用1H-NMR手段测定了MA/AATP共聚物的组成,用Mayo-Lewis积分法和扩展Kelen-Tüdos方法计算的竞聚率分别为0.88相似文献   
277.
配位聚合物通常是通过某种有机配体与金属的配位几何选择以及无限网络的拓扑结构控制而形成的具有无限结构的化合物 [1] ,其结构新颖并具有不寻常的光电效应、非线性光学性能、磁性、超导及催化等诸多具有诱人应用前景的独特性能 .因此 ,近年来倍受化学家和材料学家的重视 [2~ 5] .以 Co为配位中心的配位聚合物若具有八面体构型 ,在一定条件下具有自旋转换能力 ,而且往往可与光电转换能力相关联 ,是一种潜在的新型信息存储材料 [6 ] .对于配位聚合物的形成 ,配体的选择最重要 . 4,4′-联吡啶及其衍生物是一种较好的刚性配体 ,相关的配位聚…  相似文献   
278.
含偶氮苯的咔唑类双功能光折变聚合物的合成及表征   总被引:1,自引:1,他引:1  
通过后重氮偶合方法制备了一系列不同生色团含量的咔唑类双功能光折变聚合物,并用IR、^1H-NMR、UV-vis、DSC以及GPC等对聚合物进行了分析和表征。IR和UV-vis谱图显示偶氮苯基团已接到咔唑环上。UV-vis结果表明:反应时间对该反应的影响非常大,当反应时间从6h增加到60h时,聚合物中生色团的含量从13.5%升高到66.7%。GPC结果显示后重氮偶合法比常规方法得到的该类聚合物的分子量明显提高。DSC结果显示聚合物的玻璃化转变温度随偶氮苯含量的增加而升高。  相似文献   
279.
IntroductionIndium-tin-oxide(ITO) has been widely used asthe anode material in organic light-emitting devices(OLEDs) because of its high transmittance in the visi-ble region and low electrical resistivity. In the pastyears, many investigations focused on …  相似文献   
280.
针对以往电子俘获光存储材料存在的问题,利用高温固相反应发制备了一种Eu^2 掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷,研究表明在该材料中具有光激励发光(PSL)特性,并可用于电子俘获光存储。XRD分析表明该材料含有大量的BaF2微晶。根据其与BaF2相似的发光特性,推断玻璃陶瓷的PSL有可能来源于微晶中Eu^2 的5d-4f发射。但是决定光激励发光过程中的电子(空穴)陷阱的存在方式、电子迁移途径都有待进一步探讨的问题。与传统的BaFCl:Eu相比,这种材料的光激励发光衰减速度较慢。  相似文献   
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