On the low frequency characteristics of head-related transfer function

A method to correct the measured head-related transfer functions （HRTFs） at low frequency was proposed. By analyzing the HRTFs from the spherical head model at low frequency, it is proved that below the frequency of 400 Hz, magnitude of HRTF is nearly constant and the phase is a linear function of frequency both for the far and near field. Therefore, if the HRTFs above 400 Hz are accurately measured by experiment, it is able to correct the HRTFs at low frequency by the theoretical model. The results of calculation and subjective experiment show that the feasibility of the proposed method.     

声音的掩蔽效应及其应用

 人们在安静环境中,即使声音的声压级很低,也可以听到,说明人耳对这个声音的听阈可以很低.但是,在倾听一个声音的同时,如果存在另一个声音(叫做掩蔽声),就会影响到人耳对所听声音的听闻效果,这时对所听声音的听阈就要提高.这种由于某个声音的存在而使人耳对别的声音听觉灵敏度降低的现象,称为“掩蔽效应”.     

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究. 受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响, 当辐射总剂量达到1 M rad(Si) (1 rad = 10^-2 Gy)条件下, SOI器件背栅阈值电压从44.72 V 减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm²/V·s降低至419.8 cm²/V· s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec; 基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化, 可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×10¹¹ cm^{- 2}与2.36×10¹² cm^-2. 受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响, 辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧, 造成SOI 器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10^{- 10} V²·Hz^-1增加至1.8×10^-9 V² ·Hz^-1; 基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×10¹⁷ cm^-3·eV^-1和3.66×10¹⁷ cm^-3·eV^-1. 考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系, 本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.     

Low Frequency Ultra-Thin Compact Metamaterial Absorber Comprising Split-Ring Resonators

We present a design of a low frequency ultra-thin compact and polarization-insensitive metamaterial absorber （MA）. The designed MA is a two-layer structure, a periodic array of novel split-ring resonators （SRRs）, which are constructed in an FR4 dielectric layer, and another ultra-thin grounded sheet is attached to the bottom. Numerical simulated results show that the proposed MA can realize effective absorption at the frequency 281.9 MHz, and its overall thickness is just only 0.29% of the resonant wavelength, the unit space is only 2.57%, and the absorbanee is kept well for a wide range of incident angles for different polarizations. In addition, the proposed MA is changed into a more compact one when the inter-digital structures are introduced in the SRRs. One convenient experiment is carried out in a rectangular waveguide simulator.     

脉冲跨周期调制连续导电模式Buck变换器低频波动现象研究

揭示了脉冲跨周期调制(pulse skipped modulation,PSM)电感电流连续导电模式(continuous conduction mode,CCM)Buck变换器中存在的低频波动现象,分析了PSM调制CCM Buck变换器的能量转换过程,阐述了低频波动的产生机理,给出了低频波动的判断条件.建立了PSM调制CCM Buck变换器的同步开关映射模型,基于该模型给出了电感电流与输出电压随输出电容等效串联电阻(equivalent series resistance,ESR)变化的分岔图,分析了ESR对低频波动的影响.为消除PSM调制CCM Buck中存在的低频波动,提出了电容电流脉冲跨周期调制(capacitor current pulse skipped modulation,CC-PSM)方法.研究结果表明:在ESR较小时,CC-PSM调制CCM Buck变换器消除了PSM调制CCM Buck变换器存在的低频波动.仿真与实验结果验证了理论分析的正确性.     

单周期控制Boost变换器中的低频波动现象分析

基于电感电流和输出电压的波动频率远低于变换器开关频率的假设,给出了连续导电模式(CCM)与不连续导电模式(DCM)的临界条件,建立了单周期控制器的S域模型,并分别导出了Boost变换器工作在CCM和DCM下的闭环输出-基准电压传递函数.研究结果表明,完全工作在DCM时,变换器处于稳定的周期1状态,而运行在CCM时,变换器将出现低频波动现象.此外,采用零极点分析方法给出了变换器低频波动的频率,并通过变换器拓扑结构的约束关系确定了系统低频波动的幅值.最后,Matlab数值仿真及电路实验验证了理论分析的结果. 关键词： 低频波动 单周期控制 Boost变换器 平均模型     

检测声学分科学会召开委员会议和低频声波检测换能器测试专题讨论会

中国声学学会检测声学分科学会于1988年9月18—24日在湖南省湘潭市召开全体委员工作会议和专题学术讨论会.工作会议的议题有:第一,回顾并总结近三年来分会的学术交流、咨询服务等项工作.第二,讨论了今后一、二年分会各专业组的学术活动计划.第三,酝酿分科学会的换届、委员增补、以及增设专业组等事项.到会委员对上述议题充分发表意见,对今后分会各项工作也提出不少有益的建议.     

空化流动诱导离心泵低频振动的实验研究

空化流动严重影响泵安全稳定运行,为充分认识泵内空化发展程度及其诱导的低频振动特性,设计了一台离心式模型泵作为研究对象,同时采用高速摄影及振动加速度测试手段,实现了叶轮内部空化流动的可视化及对应的泵体低频振动信号提取,分析了空化泡形态随空化发展的演化规律,对比了空化发生前后泵体低频振动频谱特性,探讨了泵体总振级水平、离散频率下振动加速度幅值随空化发展程度的变化,提出振动临界汽蚀余量可作为空化程度的另一判据,叶频时的振动加速度幅值变化亦可作为泵内空化程度的表征。     

低频Alfvén波对等离子体非共振加热与随机加热的粒子模拟

采用粒子模拟方法,研究沿背景磁场方向传播的低频Alfvén波对磁化等离子体加热的物理过程.模拟结果表明:离子在垂直和平行于背景磁场的方向都得到明显的加热,在非共振加热阶段,垂直方向比平行方向的加热效果更加显著,形成温度各向异性;在随机加热阶段,垂直和平行方向的温度最终达到饱和且趋于一致.加热过程中,离子所获得动力学温度的最大值由外加磁场能量密度与等离子体密度的比值决定,与Alfvén波的频率及振幅无关;离子在平行于背景磁场方向上被加速,并最终获得相当于Alfvén波相速度大小的流速.     

结合局部一致性和低频振幅探究躯体症状障碍患者大脑自发性活动的改变

躯体症状障碍（somatic symptom disorder,SSD）是一种常见的医学疾病,致病原因涉及生物学、心理学及社会因素.目前关于SSD的神经机制知之甚少.本研究通过静息态功能磁共振成像（functional magnetic resonance imaging,fMRI）,结合低频振幅（amplitudes of low-frequency fluctuation,ALFF）和局部一致性（regional homogeneity,ReHo）分析探究45位SSD患者和43位健康对照自发性脑活动特征的区别.结果发现：与对照组相比,SSD患者右侧扣带回中部的ReHo值显著升高,而右侧楔前叶、左侧颞下回延伸到左侧颞中回和左侧海马旁回、右侧脑桥的ReHo值显著降低.同时,SSD患者扣带回中部延伸至左侧额中回、右侧脑岛延伸至右侧额下回、左侧额中回延伸至左侧前扣带回的ALFF值均显著升高.这些脑区的脑功能与自我加工、情绪处理、身体知觉等有关,与SSD发病机制有重要联系.