钙钛矿锰氧化物薄膜材料巨磁电阻效应的研究进展

本文简单介绍了巨磁电阻效应的基本原理,重点介绍了钙钛矿锰氧化物薄膜的巨磁电阻效应的研究现状,指出了钙钛矿锰氧化物薄膜磁电阻效应的潜在应用市场及亟待解决的问题。     

Measurements of Boundary Plasma in Synergy Discharges of IBW and LHCD on the HT-7 Tokamak

By applying ion Bernstein wave (IBW) heating into the lower hybrid current drive (LHCD) plasma, improved confinements have been obtained in the HT-7 tokamak. The central electron temperature was doubled and the storage energy was increased significantly. The core electron density and temperature were broadened and ther profiles near the edge were steepened. A transport barrier has been formed in the vicinity of the limlter radial location. An enhanced shear in poloidal phase velocity was found in the same region with reduction of the fluctuation levels and the coherences between fluctuations. The results suggest that the improved confinement in the IBW and LHCD plasma is at least partially due to the modification of shear in poloidal velocity and then the suppression of fluctuations and fluctuation induced fluxes via de-correlation effect.     

物理学奖解读：小硬盘大发明

大家可能都用过装有小硬盘的数字摄像机，小小一块硬盘可以储存30G或更多的信息、，用起来非常方便，直接连到计算机上就可以将拍摄的内容迅速转出。有了它，人人都可以随心所欲地制作自己的DV节目，而不再需要复杂的专业转录设备。然而，你知道吗？这一切都是源自20年前的一个伟大发现——巨磁电阻效应（GMR：Giant Magnetoresistance）。     

PWM控制变阻调速系统

分析了PWM的调整方式，利用绕线式电机和串电阻调速的原理，提出了一种结构简单、功率强的变阻调速系统。     

ZK—4、NaANaHS3种沸石的铝化

用高温气－固相置换法对ZK－4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明，3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

改变接线减小感应式电能表在低功率因数下的计量误差

对于如电容器回路这样的低功率因数的负载，由于电容器回路的功率因数过小，超出了感应式电能表功率因数正常范围，感应式电能表在低功率因数下起动功率很小，电能表驱动力矩不足，导致感应式电能表计量误差过大。为此我们采用非标准电能表接线，从而来提高计量的准确性。     

用实验室常用电表测量电感线圈和直流电阻箱的交流损耗电阻

1引言在RIAf串联iff振实验中，由于电感线圈和直流电阻箱（因高频电阻箱价格高、取材困难，众多教科书上往往以直流电阻箱取代）所引起的交流损耗电阻的影响，使Q的计算值总是大于它的测量值，如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响，已有许多文献介绍了他们的尝试．以厂是我们对这些问题的看法和探讨；其一，“替代法””‘是在电路谐振时，用一个直流电阻箱替代原谐振电路，选择某一阻值，使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值，则电阻箱示值即为电路总损耗电阻．实验中我们发现，受电表灵敏度的限制，在替代过程中有数欧…     

La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.