带电流限幅无功电流注入的LVRT控制策略研究

文章提出一种带电流限幅无功电流注入的低电压穿越控制策略,采用对称分量法分析逆变电压和电流,并进行逆变电压和电流的相关相位角分析推导,由网侧变流器的通态浪涌电流决定了限幅电流的大小,并在已知正序无功电流给定和对逆变电流向量图分析的基础上,反推出负序无功电流给定,在c相接地故障引起电网电压跌落情况下进行了仿真实验研究。研究结果表明,在提出的控制方法下,达到了对网侧变流器过流保护的目的,并通过动态无功电流的注入实现了对电网正序电压的支撑作用和对电网负序电压的压制作用,提高了低电压穿越能力。     

六安农村地区低电压现象分析及解决措施

六安大别山区属皖西革命老区,随着皖江城市产业转移示范区的建设和近年国家实行的家电下乡及家电以旧换等一系列惠民政策的开展,六安广大农村地区经济发展较迅猛,用电量逐年攀升,造成部分农村电网低电压,其主要来自两个方面原因：一是属于硬件设施方面：二是属于软件方面。根据自身工作中接触的方面就农村电网低电压问题进行粗浅分析,并提出简单的解决办法与大家探讨。     

Low-voltage antimony-doped SnO2 nanowire transparent transistors gated by microporous SiO2-based proton conductors

A battery drivable low-voltage transparent lightly antimony（Sb）-doped SnO2 nanowire electric-double-layer （EDL） field-effect transistor （FET） is fabricated on an ITO glass substrate at room temperature. An ultralow operation voltage of 1 V is obtained on account of an untralarge specific gate capacitance （- 2.14 μF/cm2） directly bound up with mobile ions-induced EDL （sandwiched between the top and bottom electrodes） effect. The transparent FET shows excellent electric characteristics with a field-effect mobility of 54.43 cm2/V. s, current on/off ration of 2 × 104, and subthreshold gate voltage swing （S = dVgs/d（logIds）） of 140 mV/decade. The threshold voltage Yth （0.1 V） is estimated which indicates that the SnO2 namowire transistor operates in an n-type enhanced mode. Such a low-voltage transparent nanowire transistor gated by a microporous SiO2-based solid electrolyte is very promising for battery-powered portable nanoscale sensors.     

基于BiCMOS的低电压全差分对数域积分器设计

分析一个由BiCOMS构成的单端对数域积分器的频率特性和存在的局限性。提出了一个工作在甲乙类状态的对数域全差分积分器,并采用跨导线性原理分析得到了其传递函数,分析了全差分积分器的频率特性和动态范围。PSpice仿真结果说明,全差分对数域积分器具有较宽的频率调谐范围,能在1－2V之间的低电压下工作,同时具有较大的动态范围,更适合于高频、低电压和大动态范围的滤波器设计。     

A PLL Clock Frequency Multiplier Using Dynamic Current Matching Adaptive Charge-Pump and VCO Frequency Reuse

A 3.5 times PLL clock frequency multiplier for low voltage different signal （LVDS） driver is presented. A novel adaptive charge pump can automatically switch the loop bandwidth and a voltage-controlled oscillator （VCO） is designed with the aid of frequency ranges reuse technology. The circuit is implemented using 1st Silicon 0.25 μm mixed-signal complementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） process. Simulation results show that the PLL clock frequency multiplier has very low phase noise and very short capture time .     

电流模式低电压低功率模拟滤波器设计方法综述

对电流模式低电压低功耗模拟滤波器的设计方法进行了一次回顾与总结 ,主要讨论了状态空间综合方法、压缩扩展技术、Bi CMOS跨导技术等 3种基本方法以及它们的一些基本电路和模块     

低电压冲击片雷管设计

采用Lee提出的FIRESET模型，对金属电爆炸过程进行数值模拟，在FIRESET模型中，主要用了4个特征参量来描述导体电阻变化率，分别是导体爆炸后电阻率A；爆炸时电阻率峰值B；爆炸时电阻率峰值宽度S0；导体爆炸时比作用量G0。     

一种新型电流镜运算跨导放大器的设计

针对传统低压微功耗电流镜运算跨导放大器存在低增益和小摆率的缺陷,设计了一款新型电流镜运算跨导放大器。在不影响电路的静态功耗和稳定性的基础上,该运算跨导放大器采用增益提高(gain-boosting, GB)结构,增大了电路的小信号增益;引入开关型摆率增强(switched slew-rate enhancement, SSRE)结构,提高了电路的大信号摆率。基于UMC 0.11μm标准CMOS工艺进行电路设计和仿真。仿真结果表明：在1.2 V电源电压和10 pF负载电容下,与传统电流镜运算跨导放大器相比,设计的新型电流镜运算跨导放大器的增益提高了47 dB,正摆率提高了11.2倍,负摆率提高了12.4倍。     

低电压超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计

基于台积电TSMC 0.35μm 3.3V标准半导体工艺,完成一款低电压、超低功耗人工耳蜗植入体芯片设计与流片.首先,基于目标工艺设计一套2.0V低电压标准单元库,完成电路结构设计、特征化提取和版图设计;其次,以2.0V低电压标准单元库为目标工艺库,完成植入体芯片综合及物理设计,引入基于蒙特卡罗仿真的统计静态时序分析方法,提高低电压路径的时序收敛性.测试结果显示:当工作电压由3.3V降至2.0V时,人工耳蜗植入体芯片功能正常,全芯片功耗下降了74.7%.     

200kA预焙铝电解槽低电压控制技术浅析

介绍了200kA电解槽低电压生产技术控制方法和生产实践过程,通过对主要技术经济指标及相关措施的分析,阐述了低电压控制技术对提高铝电解槽技术经济指标和降低生产成本的积极意义。