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101.
We demonstrate a novel 40-Gb/s transmission system over a 10×101-km standard single mode fiber (SSMF) loop. This system features polarization multiplexed quadrature phase shift keying (PolMux-QPSK), lowvoltage modulation of 2-V peak-to-peak signal amplitude, and home-made 90° optical hybrid with singleended digital coherent detection. Any power amplifers before the modulator and balanced detectors are not used. In the case of low-voltage modulation, coherent detection is much less sensitive to modulator bias offset than delay interferometer-based demodulation. 相似文献
102.
近年来,由于农村的消费水平不断增长和家电下乡的强力推动之下,我国广大农村地区的用电量急速增长,这也加大了电网供电压力,低电压问题突出,严重影响了居民的正常生活和电能质量。本文通过分析农村电网低电压的成因,提出具体的治理和升级改造措施并指出升级改造中应该注意的一些问题。 相似文献
103.
无障碍专厕的呼应信号装置需要形成产品类型。本文试就三个方案例,对专厕的无障碍呼叫按钮电气设计进行探讨。 相似文献
104.
由于近年来我国的经济发展速度非常迅速,随之而来的能源问题也变得越来越重要,作为当今人类社会生存和发展当中所存在的主要问题,能源缺乏已经成为了人们所亟待解决的一个重要发展缺陷,通过开发和利用可再生资源,可以在一定程度上缓解人类的能源压力,而开发和利用可再生资源也是当前世界各国开展可持续发展战略的重要方式。风力发电作为可再生资源当中的一种,由于其自身清洁能源的特点,不仅能够节约不可再生资源,而且也可以降低对周围环境的污染,风力发电系统的效率也非常高,而且功率速度也非常大,通过对双馈风力发电机组控制技术以及风能开发的进一步研究,可以推动我国后续的能源发展。 相似文献
105.
近些年来,我国的经济正处于不断的发展当中.因为电力负荷一直都在不断增长当中,所以近些年来我国的配电网低电压问题也日益突出.因此研究一种可以治理配电网低电压的方法是非常具有现实意义的.本文当中研究的是基于安全效能成本的配电网低电压综合治理方法.想要综合治理,就无法不去面对线路改造,无功补偿,变压器调压等一系列的问题. 相似文献
106.
107.
提出了一个平衡结构二阶电流模式低通滤波器。该滤波器除输入端、输出端、直流电压偏置节点和接地电容连接节点外,再没有其它节点,电路寄生参数的影响被显著减小,它适合于甚高频滤波。给出了计及晶体管二级效应时的输出电流表达式,用非线性传递函数理论分析了非线性失真,并研究了噪声问题。理论分析表明,给出的滤波电路符合低电压趋势和甚高频滤波要求,具有比较小的谐波失真,在2m工艺条件下,用PSpice5.0对一个1 相似文献
108.
蔡理 《空军工程大学学报(自然科学版)》2000,1(2):91-94
简要地回顾了模拟集成滤波器的发展历程 ,综述了其种类、设计方法和实现技术 ,最后 ,对未来的发展趋势进行了展望 相似文献
109.
为获取细胞的内容物(蛋白质, DNA, RNA等), 探讨光电子技术在细胞破碎方面的应用, 理论上引入了BHK21(幼仓鼠肾细胞)的初始跨膜电位, 对BHK21细胞跨膜电压模型进行修正。设计了细胞破碎的控制及检测系统。制作的细胞破碎芯片电极的宽度和间距均为50 μm, 每个电极的长度为0.4 cm, 电极厚度为0.5 μm。搭建了用于细胞破碎、控制及自动检测的检测系统, 系统中以倒置显微镜作为主要光路部件, 采用300万像素的CCD摄像头采集图像信息, 并基于显微数字图像处理软件实现细胞图像处理。实验表明, BHK21细胞破碎的最佳电压幅度为3 V, 脉冲宽度为3 ms, 所搭建的光学检测系统能够自动识别BHK21数字图像, 并能对在显微视窗中的BHK21细胞实现自动计数等功能。 相似文献
110.
Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al2O3/HfO2/Al2O3 Tunnel Barrier
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A n atomic-layer-deposited Al2O3/HfO2/Al2O3 (A/H/A) tunnel barrier is in vestigated for Co nanocrystal memory capacitors. Compared to a single Al2O3 tunnel barrier, the A/H/A barrier can significantly increase the hysteresis window, i.e., an increase by 9 V for ±12 V sweep range. This is attributed to a marked decrease in the energy barriers of charge injections for the A/H/A tunnel barrier. Further, the Co-nanocrystal memory capacitor with the A/H/A tunnel barrier exhibits a memory window as large as 4.1 V for 100 μs program/erase at a low voltage of ±7 V, which is due to fast charge injection rates, i.e., about 2.4× 10^16 cm^-2 s^-1 for electrons and 1.9× 1016 cm^-2 s^-1 for holes. 相似文献