改良低温麻醉阻断循环对肺超微结构影响的实验研究

本组用本地健康杂种犬10只,以改良低温麻醉体表降温方法将食道温度降至24～26℃时,然后阻断循环无体外循环下进行心内直视手术。术中分别在阻断前:阻断后及复苏后取肺组织进行光镜、电镜检查。实验结果表明,阻断时间在60分钟内,心脏跳停80分钟内无明显超微结构变化。而阻断时间65～85分钟,心脏跳停90～115分钟,肺组织的某些超微结构变化是可以复原的,这就为不用体外循环的肺脏手术安全时限提供了初步的理论依据。     

一种含稀土锰钢的热处理和低温韧性研究

本文研究了加稀土5％Mn钢的热处理、组织和机械性能,探索其部分代替9Ni钢使用于-196℃的可能性,并以同样成分的无稀土钢作为对比,研究稀土在该钢中的作用。     

超流研究的历史回顾

回顾了超流发现的历史，介绍了超流的一些现象、理论以及新近的研究结果。强调指出超流与超导一样是一种宏观量子现象。     

Critical Behaviour of the One—Dimensional Ferromagnetic t—J Model

The one-dimensional super-symmetric ferromagnetic t-J model is studied via the thermal Bethe ansatz.Analytic expressions of the free energy for T→O are obtained.A new critical behaviour beyond the universal class of Luttinger Liquids is found in this system.     

氮－烃类二元低温混合工质的工作机理分析

用ＰＲ方程计算氮－烃类二元混合物的自由焓，提出判别氨－烃类二元混合物互溶性的方法，并计算了该类混合工质的汽液平衡、液液平衡和汽液液平衡特性，为寻求新的混合工质对提供了一种有效的理论预测方法。     

低温条件下混凝土工程的裂缝控制

低温条件下混凝土工程的裂缝按形成期分三类：初期裂缝；中期裂缝和后期裂缝。本文提出有效控制冬季混凝土裂缝的施工技术措施。     

Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4／H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

低温等离子体在材料表面处理方面的应用和发展

本文简要地介绍了同创材料表面新技术工程中心低温等离子体相关技术在材料表面处理的应用与发展以等离子体产生、离子源技术为基石，大力发展复合离子注入、复合离子沉积及镀膜设备和相关工艺。以离子源、多弧、磁控溅射等核心技术，多元化发展等离子体表面处理设备、产品和工艺。以国家自然科学基金等科研项目为依托，大力推进科研成果向工业和民用产品转化紧跟等高子体技术的国际发展，积极开拓国际市场，推进离子源、等离子体源等技术的标准化和国际化。