EIT介质中光场噪声特性研究

在原子相干效应条件下，场与原子之间的相干耦合过程不仅导致原子能态发生相干叠加，同时也会使与之作用场的光场特性发生变化。我们对电磁感应透明（EIT）介质中量子化光场的噪声谱特性进行了研究，实验和理论结果均表明，在光场与原子发生相干作用过程中，由于EIT过程的吸收减小，色散增强效应，导致作用场的位相噪声被转化为输出场的强度噪声，因而使输出场的强度噪声由三部分所决定，输入光场的强度噪声、位相噪声以及由原子而引入的额外噪声。并分析了噪声随探测光失谐、分析频率等的变化关系以及总噪声谱不对称的原因，实验与理论结果定性吻合。     

高斯光束在克尔型非线性介质中的演化特性

由光束在克尔型吸收介质中传输的非线性薛定谔方程,推导了高斯光束注入介质后满足的耦合方程,并分别在不考虑吸收和高阶展开项的情况下,对脉冲的腰斑半径的演化进行了理论分析。发现当注入脉冲满足一定的条件时,脉冲可以以“孤波”的形式传播。当考虑吸收和高阶展开项时,脉冲不存在“孤波”形式,且存在一个阈值,低于阈值的输入,脉冲发生自聚焦;对高于阈值的输入,腰斑半径随着距离的增加而增加,聚焦趋势根本就不存在。     

C波段平面异向介质设计及其后向波特性验证

提出了一种工作在C波段的新型平面结构异向介质，它除了带宽宽和损耗小外，还具有体积小、结构简单的优点，而且能够实现工作频段的平移，频率平移范围为4—20 GHz.基于电磁波由自由空间入射半无限大异向介质平板的传输和反射数据，计算出了电波在其中传播时的相速随频率的变化曲线，结果表明所讨论的异向介质确实在预想的频段上表现出后向波特性；同时利用相位观察法进一步验证了上述的后向波特性，从而肯定了异向介质的存在. 关键词： 异向介质 宽频带 小单元 后向波特性     

Au/SiO2纳米多层薄膜的制备及其性质表征

利用多靶磁控溅射技术制备了Au/SiO₂纳米颗粒分散氧化物多层复合薄膜.研究了在保持Au单层颗粒膜沉积时间一定时薄膜厚度一定、变化SiO₂的沉积时间及SiO₂的沉积时间一定而改变薄膜厚度时，多层薄膜在薄膜厚度方向的微观结构对吸收光谱的影响.研究结果表明：具有纳米层状结构的Au/SiO₂多层薄膜在560 nm波长附近有明显的表面等离子共振吸收峰，吸收峰的强度随Au颗粒的浓度增加而增强，在Au颗粒浓度相同的情况下，复合薄膜 关键词： 2纳米复合薄膜')" href="#">Au/SiO₂纳米复合薄膜 多靶磁控溅射 吸收光谱 有效介质理论     

焚烧炉中多孔介质状垃圾团块传热分析

以焚烧炉中垃圾团块的传热问题为背景,研究含高水分的多孔介质在高温环境下的传热规律。气、固相处于非热平衡态,分别列出其能量方程,且能量方程中考虑辐射项。从描述多孔介质传热的质点方程出发,采用局部容积平均法导出平均化方程,根据经验修正方程中的系数,并列出适当的初始条件和边界条件,用数值计算方法求出垃圾团块中气、固两相的温度场。     

多孔介质中非混相粘弹性液体驱替的稳定性

多孔介质中非混相粘弹性液体驱替的稳定性王子亭（石油大学山东省东营市２５３０６２）本文研究了多孔介质中非均匀渗流的粘弹性液体界面移动的稳定性。讨论了非稳定性发展的两个阶段：（１）最初非扰动驱替前沿界面上小扰动的产生；（２）第一阶段的非稳定性产生以后驱替...     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

在CPM非稳腔Nd:YAG激光器中用被—被动锁模方法选单脉冲的探讨

在CPM Nd:YAG非稳腔激光器中,我们使用透过率较大的可饱和吸收体使单脉冲序列中的脉冲个数减少到3—5个,在输出的单序列中再使用非线性介质进行处理,可以得到比较接近的单脉冲输出。     

重建吸收介质参数(ρ(3),α(3))(英)

本文考虑重建吸收介质的密度ρ（3）和吸收系数α（3）的双参数反演问题。通过波动方程特征积分的方法并引人辅助函数，我们得到了原反问题的一个等价的封闭的积分方程组。利用本文的反演方法，ρ（3）tα（3）可以由反射数据f（t）和透射数据g（t）在深度变量子下同时恢复出来。     

Optical Recording Properties of Metal-Azo Dye as Recording Medium with Super-Resolution Near-Field Structure

A novel metallized azo dye has been synthesized. The absorption spectra of the thin film and thermal characteristic are measured. Static optical recording properties with and without the Bi mask layer super-resolution near-field structure （Super-RENS） of the metal-azo dye are investigated. The results show that the metal-azo dye film has a broad absorbance band in the region of 450-650 nm and the maximum absorbance wavelength is located at 603 nm. It is also found that the new metallized azo dye occupies excellent thermal stability, initiatory decomposition temperature is at 270℃ and the mass loss is about 48% in a narrow temperature region （15℃）. The complex refractive index N （N = n ＋ iκ） is measured. High refractive index （n = 2.45） and low extinction coefficient （κ = 0.2） at the recording wavelength 65Ohm are attained. Static optical recording tests with and without Super-RENS are carried out using a 65Ohm semiconductor diode laser with recording power of 7mW and laser pulse duration of 200ns. The AFM images show that the diameter of recording mark on the dye film with the Bi mask layer is reduced about 42%, compared to that of recorded mark on the dye film without Super-RENS. It is indicated that Bi can well performed as a mask layer of the dye recording layer and the metallized azo dye can be a promising candidate for recording media with the super-resolution near-field structure.