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11.
物体内部三维位移场分析的数字图像相关方法   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
汪敏  胡小方  伍小平 《物理学报》2006,55(10):5135-5139
提出了物体内部三维位移场的数字图像相关分析方法,对物体变形前后,或连续变形的两个相邻状态的内部三维结构的数字图像,通过相关运算获得三维位移场.文中给出了三维相关法的体搜索窗口、相关函数及亚像素运算的相关系数拟合函数.数字模拟结果证明了三维相关法的正确性及可靠性.位移计算精度为0.02像素. 关键词: 数字图像相关 三维相关 亚像素  相似文献   
12.
铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
张文杰  易万兵  吴瑾 《物理学报》2006,55(10):5424-5434
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向. 关键词: 电迁移 铝互连 微结构  相似文献   
13.
红外光谱表明,一步法和两步法制备的Nafion-Os(bpy)2 3(X=3)修饰膜明显不同,说明不同制备方法强烈影响膜的微结构.同时还显示一步法制备的X=3和X=20膜红外光谱特性也有明显不同.  相似文献   
14.
介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。  相似文献   
15.
张涛  杨树勋  于飞 《应用光学》2006,27(6):567-570
在计算机视觉理论基础上发展起来的视觉检测(vision inspection)技术具有非接触、速度快、精度适中、可实现在线等优点,已广泛地应用于工业产品的在线检测。在计算机视觉检测技术中CCD摄像机是一个最关键的器件,其参数是否准确决定了检测的精度。所以,摄像机标定是视觉检测技术中最基本的也是最重要的一步。在比较其他标定方法的基础上,为了解决传统标定方法对螺纹图像测量系统所带来的一系列问题,采用了一种新的图像测量系统的标定方法——网格式平行线标定方法,该方法运用了CCD亚像素细分技术及调焦技术,可直接得到纵横2个方向的像素,经过理论分析及实验结果均表明,采用该方法具有标定简单、精度高、重复性好等优点,是一种较好的螺纹图像测量系统标定方法。  相似文献   
16.
亚纯函数及其微分多项式的唯一性   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
设f是非常数亚纯函数,g是f的线性微分多项式.a和b是f的两个不同的小函数.本文证明如果f和g几乎CM分担a和b,则f≡g;此外,若f是非常数整函数,且f和f(k)(k≥1)IM分担a和b,b-a≠Peλz,测f≡g.  相似文献   
17.
余军扬 《数学杂志》2002,22(1):74-78
本文给出Riccati方程及另外一类具有代表性微分方程的亚纯解(n,1)级的上界估计,在一定条件下确立了文[2]中的猜测的正确性。  相似文献   
18.
相变光盘介电薄膜ZnS-SiO2 的微结构和光学特性   总被引:2,自引:2,他引:0  
刘波  阮昊  干福熹 《光子学报》2003,32(7):834-836
采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO2 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO2薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO2薄膜中存在微小晶粒,大小为2~10 nm的ZnS颗粒分布在SiO2基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO2薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO2介电薄膜.  相似文献   
19.
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.  相似文献   
20.
本文利用蒙特卡罗模拟得到标的资产的价格路径样本,然后应用偏最小二乘回归给出了美式-百慕达-亚式期权的价格.与最小二乘回归方法相比,该方法在保证精确度的前提下,具有更快的收敛速度.  相似文献   
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