两类插值与两个反例

本文探讨了在给定的一组实验数据下，用Rm，n(x)型有理函数插值与连分式型有理函数插值的两个基本方法以及二者互不相容的两个反例．     

改制刷新国企活力

江苏省高新技术创业服务中心在孵化企业、增加社会就业机会的同时,注重帮助企业建立现代企业制度,并取得一定成效。中心毕业企业——南京晨光高新科技有限公司为一家由中国航天南京晨光集团公司控股,以员工部分持股的高科技公司,公司前身是南京晨光集团计算机开发中心,为国有企业下属研发机构,1999年初该开发中心着手考虑进行体制改革,并向中心寻求支持,中心一方     

浅析推垮型冒顶事故的发生机理

对推垮型冒顶事故产生的原因,形成机理进行了探讨。     

单体液压支柱顶盖对支撑性能的影响分析及改进

单体液压支柱的顶盖是对顶板支撑性能影响的一个重要因素，由于煤矿井下条件恶劣，支柱活动顶盖易卡死，本文从单柱的工作原理入手，分析单体工作时的受力状况及顶盖对支承性能的影响，提出改变整体顶盖为活动顶盖的初步方案。     

地方高校多校区合理利用研究

扩展型多校区是我国高等院校办学规模扩大过程中,通过自身筹建新校区而形成的新的办学 格局。各高校尤其是地方的高等院校在实践中又有诸多问题存在。针对这种扩展型地方高校如何合理利 用资源入手,分析现实中存在的各种问题,提出解决问题的方法对于我国高等教育的发展具有较为深远 的意义。     

π-σ-π型双稳态分子器件的分子内电子转移及外电场效应

将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正，得到一个新的π-σ-π型分子．UHF/6 -31G^**研究表明，新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合，而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现．外电场效应的研究进一步发现，该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上，仅当出现外部刺激(如电、光等)，其电荷定域态才会迅速转变．因此，认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子．     

不饱和烃同系物凝聚型物理性质递变规律的数学描述

以H-(CH2)n-CH=CH2和H-(CH2)n-C≡CH型同系物结构重复单元数值连续变化为模型,获得了描述该同系物凝聚型物理性质递变规律的数学表达式:P=(a0+a1n+a2n2)/(1+b2n2),式中a0、a1、a2、b2均为常数,n为结构重复单元数值,P为同系物的凝聚型物理性质。通过非线性回归分析,得到回归方程,结果表明同系物的凝聚型物理性质与重复结构单元数值之间满足上述关系式,并显示优良的相关性。     

LaMnO3不同晶位掺杂的磁电阻效应

基于研究钙钛矿型氧化物磁电阻效应的目的,采用固相反应法制备了实验所需的单相多晶样品,主要就La位二价金属离子掺杂和稀土互掺及Mn位掺杂对LaMnO3磁电阻影响的实验结果作比较研究,发现La位稀土互掺对磁电阻的影响可以用晶格效应来解释,并明确指出La位和Mn位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻效应的一种有效途径.     

V型缺口应力及应力强度因子的计算

断裂力学理论和应用对平面线弹性线裂缝问题已相当成熟，但对V型缺口(如混凝土坝坝踵)的研究还不很多．实际上当V型缺口的a=2π时(图1)即为线裂缝，因而研究V型缺口的应力和应力强度因子将更具有普遍意义．用常规有限元法虽也能求解，但要求网格分得很细，工作量很大，且不易掌握．文献[1]对此类问题曾有所研究，但没有给出应力强度因子的求法．亦有人提出用边界配置法求解，但边界条件复杂时实用性较差．本文对V型缺口应力及应力强度因子的计算做了一些探索，推导了缺口附近位移场，应变场和应力场的任意高阶级数表达式，并据此构造了能反映V型缺口应力奇异性的扇形奇异单元．