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61.
本文用压力波方法求解了近水面三维物体作操纵运动的水动力导数,运动可以是大幅度的,但自山面条件是线性的。整个问题由自由面上分布偶极子和物面上布置源汇来模拟以后,就可以分解为自由面上布有压力的压力波解和无限流场的绕 相似文献
62.
电子自旋共振准三维图象的重建方法 总被引:3,自引:0,他引:3
根据投影切片原理, 设计了一个简单而有效的ESR图象重建算法和程序, 可利用样品的一集ESR谱, 方便地绘制出样品在某截面的自旋密度立体轮廓图、等值图和散点密度分布图等, 为分析和研究自旋密度的分布及其性质, 提供了直观依据。作为应用, 文中给出了石英杜瓦受紫外光辐照后产生的局部晶格缺陷——F心的空间分布图, 图中清楚表明, F心的浓度与辐照方向和辐照强度的密切关系, 与试验结果完全相符。 相似文献
63.
用比较力场分析研究了N-亚硝基化合物的结构与致癌活性的关系,考察了网络结构和探针原子对结果的影响.结果表明,立体效应和静电作用场是描述其致癌活性和进行结构性能关系研究的最重要的结构参数。 相似文献
64.
Hong Tao Gao Dong Mei Dai Tong Hua Li 《中国化学快报》2007,18(4):495-498
Non-negative matrix factorization(NMF)is a technique for dimensionality reduction by placing non-negativity constraints onthe matrix.Based on the PARAFAC model,NMF was extended for three-dimension data decomposition.The three-dimension non-negative matrix factorization(NMF3)algorithm,which was concise and easy to implement,was given in this paper.The NMF3algorithm implementation was based on elements but not on vectors.It could decompose a data array directly without unfolding,which was not similar to that the traditional algorithms do.It has been applied to the simulated data array decomposition andobtained reasonable results.It showed that NMF3 could be introduced for curve resolution in chemometrics. 相似文献
65.
原油三维荧光分析中猝灭现象辨析 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了原油的三维荧光猝灭现象,指出浓度过高是原油产生荧光猝灭的主要原因,将会造成三维荧光等值线图畸变,致使定量分析数据失真,谱图特征变异,难以获取原油特征三维指纹图。提出了避免荧光猝灭的预试方法,并列出了不同类型原油的最佳测试浓度。 相似文献
66.
67.
采用两种分子场分析方法即比较分子场分析法(CoMFA)和比较分子相似因子分析法(CoMSIA)进行了37个褪黑激素受体拮抗剂的构效关系研究.计算结果表明,两种方法得到的构效关系模型都具有较好的预测能力.在计算中,还考察了不同格点距离和电荷计算方法对构效关系模型的影响.通过分析分子场等值面图在空间的分布,可以观察到叠合分子周围分子场特征对化合物活性的影响,为设计新的褪黑激素拮抗剂提供了一些理论依据. 相似文献
68.
利用RGB-D数据进行三维点云配准时容易陷入局部最优.针对这个难题,提出了一种基于多维特征的PVDAC描述子实现三维点云配准的方法.该方法首先通过ORB特征检测算法提取二维数据的关键点,并计算关键点在2D下的灰度特征,然后构建关键点在3D下的局部像素值距离、点云法线角度以及曲率特征,接着将2D特征和3D特征联合生成全新的PVDAC像素描述子,并利用PVDAC像素描述子描述关键点实现三维点云的粗配准,最后基于ICP算法完成三维点云的精细化配准.实验表明,本文算法在大场景点云配准时总体均方误差约为0.05 m2,在小场景单物体点云配准时达到了0.000 2 m2的较小误差,实现了三维点云的精确配准. 相似文献
69.
随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
70.
刘幼华 《华中科技大学学报(自然科学版)》1991,(6)
本文将计算二维层流边界层的Thwaites方法和计算二维湍流边界层的Truckenbrodt方法推广,用以求解旋转系统的“准三维”边界层方程,得到了计算旋转螺旋面上三维边界层的一种可迭代求解的积分方法.应用此方法进行了两例计算.计算结果与理论精确解或实验测量的对比表明,本文方法是有效的. 相似文献