考虑地层三维空间分布的盾构掘进模拟

为研究复杂地层条件下盾构掘进引起的地层扰动规律,提出了一种考虑地层三维空间分布的盾构掘进模拟方法. 该方法利用Kriging算法构建三维地质模型,通过条件判断算法将地层空间分布信息嵌入到有限元模型中,进而实现考虑地层三维空间分布的盾构掘进模拟. 此外,采用C#语言编写了复杂地层盾构掘进模拟前处理程序. 以长沙地铁四号线为例,根据掘进断面内极软岩、软岩、坚硬岩的占比,选取具有3种不同地层条件的区段,利用该前处理程序构建了土压平衡盾构机掘进过程模型,并开展模拟. 模拟结果显示盾构掘进断面内极软岩占比增大会导致地表最终沉降量显著增加. 相比于极软岩占比为50%的掘进断面,全断面极软岩处的地表最终沉降量增加了11.67?mm. 模拟结果与实测数据规律一致,验证了所提方法的有效性.     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

计算旋转螺旋面三维边界层的一种积分方法

本文将计算二维层流边界层的Thwaites方法和计算二维湍流边界层的Truckenbrodt方法推广,用以求解旋转系统的“准三维”边界层方程,得到了计算旋转螺旋面上三维边界层的一种可迭代求解的积分方法.应用此方法进行了两例计算.计算结果与理论精确解或实验测量的对比表明,本文方法是有效的.     

结构光测量中的定标

分析了ＤＬＴ定标模型的原理和方法,根据所涉及的应用场合和界定的条件,对ＤＬＴ模型进行了简化,由此只需进行二维测量和计算,就能准确有效地完成三维定标,对定标误差进行了理论分析和实验,提出了误差纠正模型及其相应算法,保证了系统的扫描精度,实验表明：提出的定标算法达到像素级精度。     

二维透视照片的三维全息图处理方法

提出一种二维透视照片合成三维全息图的方法．它利用人眼的视差及大脑本能功能,将普通相机对一物体在不同角度拍摄下的数张二维透明片,用激光全息的存贮编码方法进行组合记录,最后采用彩虹全息二步法进行第二次拍摄,可得到一张效果逼真且随观察角度的变化而变化的、具有动感的三维全息图．给出此方法的理论分析和实验结果．     

压电层合板的结构特性及优化分析

基于三维弹性和压电理论 ,用幂级数展开方法得到了压电层合板静态特性的三维解 ;给出了压电层与基体之间剪应力、位移、电势的三维分布图 ;讨论了工程中常用的 2类压电材料在感知和作动情况下沿压电材料厚度方向电势的分布情况 ,分析了电势可看作线性分布的条件 ;讨论了压电层及粘结层厚度变化对层合板变形的影响 ,并作了优化分析 .     

径向粘滞力对含三维磁场等温薄盘不稳定性的影响

吸积盘中由于吸积物质的径向运动,盘内物质间沿径向的粘滞力将会对盘的性质产生影响,本文着重研究了径向粘滞力对三维磁场的等温薄盘稳定性的影响问题,结果发现,径向粘滞力的引入不会产生新的稳定或不稳定模式,且不改变粘滞模式的稳定性质,但对磁声波模式的稳定生有较大的影响,这一影响的大小与扰动波长和盘的不同区域有关,本文还对径向粘滞力对盘的稳定性影响作了物理解释。     

基于GIS的农业气象统计分析软件包的设计与实现

介绍一种基于ＧＩＳ的农业气象统计分析软件包的设计及实现过程,并详细介绍了所选用的软件开发方法及具体技术。     

三维主体分子的合成及阴离子识别研究进展

生物功能体系的模拟是生物有机化学和超分子化学发展的前沿领域之一。本文简要论述新型大二环．大三环、笼型环番以及其它三维主体分子的合成及对阴离子选择性识别作用的研究新进展。     

三维有序大孔杂化材料SiW11O8-39-SiO2和γ-SiW10O8-36-SiO2的制备与表征

通过溶胶-凝胶和聚苯乙烯模板等方法制备了含缺位Keggin阴离子SiW11O8-39和γ-SiW10O8-36的三维有序大孔杂化氧化硅复合材料, 并通过紫外漫反射光谱(UV/DRS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、固体核磁共振波谱(MAS NMR)等手段对其结构进行了表征. 结果表明, 杂化材料中的Keggin阴离子仍保留其基本骨架结构, 但其与氧化硅基体之间存在化学作用. 杂化材料的孔道结构用扫描和透射电子显微镜(SEM和TEM)进行表征, 其平均孔径为(335±50) nm. 对杂化材料孔壁的微孔性通过氮气吸附进行了测定. 此类材料对水溶液中羟基丁二酸的降解反应具有活性, 光催化过程中未发现Keggin阴离子自载体中脱落的现象.