WO3/ZrO2固体酸催化剂的制备及应用研究进展

1979年,日本科学家Hino等人首先合成出SO4^2-／ZrO2固体超强酸并首次将其用于催化正丁烷异构化反应,发现其具有很好的异构化活性．但因在反应和再生处理过程中SO4^2-容易在H2和空气氛围中转变为H2S和SO2,     

基于原位聚合离子液体凝胶的固态电致变色器件的制备及性能研究

本文通过在离子液体BmimPF6中原位热聚合甲基丙烯酸甲酯得到了透明的离子液体凝胶。通过交流阻抗测定,当BmimPF6与甲基丙烯酸甲酯的质量比为5∶1时,离子液体凝胶的导电率为1.33×10-3Scm-1。将通过电化学沉积制得的三氧化钨(WO3)和普鲁士蓝(PB)修饰FTO电极,与上述离子液体凝胶一起组装得到了全固态的电致变色器件。原位吸收光谱数据显示所制得的电致变色器件,在±2V的工作电压下,具有稳定的电致变色响应,其着色和褪色时间分别为4.5s和4.0s,着色效率达190cm2C-1(λ=660nm)。     

WO3基气敏材料研究进展

综述了近年来国内外对WO3基气敏材料的研究状况,对制备工艺、防团聚技术、掺杂效应及气敏机理等进行了分析比较,并对今后的研究方向提出了一些看法。     

Pt修饰聚苯胺-WO3复合膜电极对甲醛的电催化氧化

采用脉冲电位法在钛电极表面合成了聚苯胺-三氧化钨(PANI-WO_3)复合膜．扫描电镜照片表明,粒径100～150 nm的WO_3颗粒较好地分散在纳米纤维状PANI中, WO_3在膜中的嵌入对PANI的形貌没有产生明显的影响．研究结果表明,PANI-WO_3膜具有良好的导电性,有着比单纯纳米纤维PANI更小的电化学阻抗．与Pt/PANI电极相比较, Pt/PANI-WO_3电极对甲醛的电化学氧化呈现出了更好的催化活性;在相同的PANI膜厚和Pt载量的条件下,Pt/PANI-WO_3电极对甲醛氧化催化活性是Pt/PANI电极的2～3倍．     

岩石矿物中钨含量的测定

建立了矿样中三氧化钨含量的测定方法,采用UV-3000型分光光度计,用光度法来测定钨的吸光度,通过钨的标准曲线来测定矿样中钨的含量,分光光度法是基于物质对光的选择性吸收而建立起来的一种具有较高准确度的分析方法,具有灵敏度高、精密度高、分析范围广、分析速度快、仪器简单、操作方便、测定元素众多等特点,矿样的分解通常采用酸分解和碱性熔剂溶解的方法,采用碱性熔剂溶解的方法,在盐酸酸度下,经过三氯化钛将W^3＋还原为W^3＋,W^5＋可与硫氰酸根生成黄色络合物,借此比色。     

基于原位聚合凝胶电解质的碳纳米笼//三氧化钨纳米棒超级电容器

发展非对称超级电容器可有效提升超级电容器能量密度,选择电极材料和电解质是关键.分级结构碳纳米笼因具有比表面积大、微孔-介孔-大孔共存、导电性好、稳定性高等优点,特别适合用作超级电容器电极材料.进一步通过N,S共掺杂引入赝电容、改善浸润性,所得的氮硫共掺杂碳纳米笼(NSCNC)在1 mol·L-1 H29O4溶液、电势范...     

甲醇在Pt/C和Pt/WO3/C电极上的电氧化

用液相还原法制备碳载Pt(Pt/C)和碳载Pt/WO3(Pt/WO3/C)催化剂.实验表明该催化剂中加入一定量的WO3后,其对甲醇的催化氧化活性和稳定性都有一定提高,并以Pt、W原子比为1∶1的催化剂性能最好.这是由于Pt催化剂中加入了WO3后,其电化学活性比表面积增大,并且降低了对CO吸附强度.     

乙酸钠、草酸钠、酒石酸钾在三氧化钨-水体系中光生自由基的研究

当分散在溶液中的TiO₂、znO、CdS、WO₃等多相体系受到光照时,固态的半导体物质吸收光子后会产生电子-空穴对,它们在半导体界面上与周围介质反应,可能以各种方式进行电荷转移而形成不同的活泼中间体,引起人们对发生在半导体粉末上的光化学过程的关注。     

WO3/ZrO2固体强酸催化剂上异丁烷/丁烯的烷基化反应Ⅱ.过渡金属的助催化作用

制备了一系列用过渡金属M (M =Pt,Co ,Ni,Mn ,Fe,Cu)活化的WO3 /ZrO2 固体强酸催化剂 ,用XRD ,DTA TG ,H2 TPR ,NH3 TPD等测定了其晶型结构、表面状态和酸量 .结果表明 ,各样品中的ZrO2 主要以T晶相存在 ,但T晶相ZrO2 所占的比例因过渡金属不同而异 ,比表面积比WO3 /ZrO2 稍有下降 ;金属Pt的引入使呈单层分散的WO3 的表面状态发生了改变 .研究了异丁烷 /丁烯烷基化反应 ,其反应活性与酸量的测定结果有对应关系 ;与WO3 /ZrO2 相比 ,M WO3 /ZrO2 上的丁烯转化率均稍有下降 ,但具有更高的i C08选择性 .从反应机理分析了添加过渡金属无显著效果的原因 .     

OLED用三氧化钨缓冲层的研究

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.