软磁Fe基纳米微晶的穆斯堡尔谱研究

对纳米软磁合金Ｆｅ７３Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ２ｓＩ１２．５Ｂ１０的制备态和各退火态的室温Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱研究,发现非晶相的超精细内场存在高场和低场两部分,     

用IDX法测定马尾松和樟子松种子发芽能力的研究

研究用ＩＤＸ法测定马尾松和樟子松种子发芽能力的方法及其标准化。结果发现,马尾松和樟子松种子浸种１６ｈ后,在１５℃、相对湿度接近１００％的培养箱内培养５６ｈ,然后在２５℃、相对湿度４０％的条件下分别干燥３ｈ、２ｈ,再作射线摄影,此时生活种子与死亡种子含水量的差异能在射线照片上形成密度反差,据此可以测定种子的发芽能力,即生活种子含水量高,吸收射线能力强,在射线图象上表现为密度均匀,胚与胚乳界限不明显,     

C~r映射芽的γ阶jets的V-充分性

本文给出Cr映射芽的γ阶jets是v-充分性的充分条件,推广了[1]中的有关结果,并对拟齐次多项式的V-充分性作了进一步的讨论。     

高能质子辐射作用的分子机理——DNA空间结构微观损伤的Raman光谱特征

高能质子是空间辐射的重要类型。本文用激光Raman光谱技术,研究了高能质子(27.9 MeV)对水溶液中DNA辐射作用的分子机理。通过解析其特征Raman谱线,获得DNA空间结构微观损伤的以下信息:(1)维系双螺旋结构的碱基间氢键部分断裂;(2)4种碱基均被损伤,其中腺嘌呤环的破坏最重;(3)脱氧核糖发生了明显的变化;(4)骨架磷酸离子(PO_2~-)和磷酸二酯(PO_2)的损伤严重,并出现单、双链的断裂;(5)B型构象的数量显著减少。     

μ-O-二[(全甲基多硅撑)二环戊二烯基氯络锆]的合成与结构

将α,ω-二氯全甲基多硅烷相继与环戊二烯基钠、正丁基锂及四氯化锆作用,生成的全甲基多硅撑桥连二环戊二烯基二氯化锆(Me_2Si)_n(C_5H_4)_2 ZrCl_2(n=2,3)在碱性条件下被水解,生成标题化合物[(Me_2Si)_n(C_5H_4)ZrCl]_2O.用元素分析、~1HNMR和质谱表征了其结构,进而对两个化合物的单晶进行X射线结构分析,确证其分子结构.n=2的晶体属P2_1/C空间群,晶胞参数a=14.268(4),b=7.812(1),c=31.050(5)A;β=99.59°;Z=4.最终偏差因子R=0.039.n=3的晶体属C_2空间群,晶胞参数a=19.944(1),b=17.117(1),c=15.966(1)A;β=128.68°;Z=4.最终偏差因子R=0.033.最后讨论了硅桥对配合物分子结构及性质的影响.     

非放射性多碘标记-偶合催化反应的极谱免疫分析研究

提出非放射性多碘标记-偶合催化反应的极谱免疫分析新体系,该体系以人白蛋白(HSA)作模型抗原,用含4个非放射性碘有机化合物藻红B(EB)经一步化学反应标记HSA.该标记方法简便,条件温和.所得标记物中EB:HSA摩尔比为12:1.用本方法获得的标记蛋白质含碘量远高于其它现有方法.利用标记的含碘抗原对As(Ⅲ)-Ce(Ⅳ)反应的催化作用,用极谱法检测底物中 As(Ⅲ)量变化,建立了异相竞争极谱免疫分析新方法.HSA可测浓度范围为1～200μg/mL,检测限为0.66μg/mL.提出的新体系也适用于其他蛋白质的免疫分析.     

亚硝酸钠—盐酸羟胺—丁二酮肟体系中测定镍钴

亚硝酸钠—盐酸羟胺—丁二酮肟体系测定镍钴是分析镍钴的常用方法。本文在文献[1～3]的基础,对影响测定的诸因素,逐项进行了试验,使本法灵敏度更高,重现性更好。 1 试验部分 1.1 仪器与试剂 YT—510型极谱仪(天津电子技术研究所),配备三电极系统、滴汞电极、饱和甘汞电极和铂电极。 缓冲溶液:0.5mol·L~(-1)氨水—5.0mol·L~(-1)氯化铵 丁二酮肟(DMG):6g·L~(-1) 盐酸羟胺:4mol·L~(-1),盐酸羟胺28g溶于50ml水中,用氨水中和至pH为8～9,用水稀释100ml。     

钇(Ⅲ)-3-噻唑偶氮-5-氨基苯酚络合物的极谱络合吸附波研究

在pH 8.40的NH3-NH4Cl缓冲溶液中,钇与3-噻唑偶氮-5-氨基苯酚络合物有一灵敏的极谱吸附波,其峰电位在-0.67 V(vs.SCE),峰电流与钇的浓度在1×10-7~8×10-4mol/L之间呈线性关系,检出限为8×10-8mol/L;经多种电化学方法证明该波为络合物吸附波,其电极过程为不可逆过程,电子转移数为2,此外还试验了多种离子对峰电流的影响,所拟方法已用于茶叶中钇的测定。     

呲咯电化学聚合的现场ESR波谱和Raman光谱研究

本文采用ESR波谱和Raman光谱方法现场(in situ)研究吡咯在水溶液中的电化学聚合过程。ESR结果显示,形成的聚吡咯(PP)膜的氧化态结构(PP++)对吡咯的氧化聚合具有电催化活性;由此可解释吡咯在PP膜上更易聚合的实验事实。利用表面增强共振Raman散射(SERRS)效应,可研究PP膜在金电极上的形成和增厚过程的结构。光照下吡咯的电化学聚合电位显著降低(约300mV),此光催化作用可望在制备新型有机器件等方面获得应用。