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1.
用分子动力学方法模拟了空位在金刚石近(001)表面的扩散过程,研究了温度对空位扩散的影响.结果表明,当温度为1000K左右时,位于近表面第二层上的空位开始向表面运动;当温度在1400—2000K时,空位完全扩散到表面.这与实验结果和其他计算结果符合得很好.同时发现,温度为1400—1800K时,空位的扩散经历了两次迁移运动,其分别对应了均方位移图中的两个极大值.在不施加任何约束的条件下得到了空位的动态扩散路径,空位在金刚石近(001)表面的扩散势垒约为042eV.并探讨了一定温度下空位数目增多及其不同排列
关键词:
金刚石
空位
扩散
分子动力学 相似文献
2.
3.
4.
SrTi0.9M0.1O3-δ钙钛矿型氧化物催化剂甲烷氧化偶联反应性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
The structure and catalytic properties of SrTi0.9M0.1O3-δ (M=Mg,Al, Zr) perovskite-type catalysts for ox-idative coupling of methane (OCM) have been studied by using X-ray diffraction (XRD),X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and temperature-programmed desorption of oxygen(O2-TPD) methods. It has been shown that doping the cations of lower valence (e.g. Mg2+, Al3+) to the B site of SrTi0.9M0.1O3-δ perovskite-type catalysts results in the higher content of adsorbed oxygen species on the surface of catalysts and thus higher C2-selectivity for OCM reaction. It is suggested that the oxygen vacancies of SrTi0.9M0.1O3-δ (M=Mg, Al, Zr) perovskite-type catalysts are the sites responsible for oxygen activation, and the adsorbed oxygen species on the surface of SrTi0.9M0.1O3-δ catalysts are the main active species for OCM reaction. 相似文献
5.
采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为,根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图,确定了沉积束缚点和一些鞍点,并研究其可能的扩散路径。 相似文献
6.
钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电性能分析 总被引:1,自引:0,他引:1
从钇稳定的二氧化锆(YSZ)晶体结构中可能存在的氧空位跃迁类型,分析了钇稳定的二氧化锆(YSZ)的导电率随着钇掺入量增加有一个最大值的原因。 相似文献
7.
本文通过对零场分裂参量的理论计算,证实了KZnF3:Fe^3+晶体中Zn^2+-空位方向的配体要移动。 相似文献
8.
应用改进分析型嵌入原子法(Modified Analytical Embedded-Atom Method,MAEAM),计算了密排六方(Hexagonal Closed-Packed,HCP)金属(c/a<1.633)单空位形成能以及双空位与三空位的形成能与结合能.空位形成能的最小值或结合能的最大值均表明,双空位稳定结构是第一近邻[1n]、第二近邻[2n]或第三近邻[3n];三空位稳定结构是三空位组成两个第一近邻和一个第二近邻[112]、一个第一近邻和一个第二近邻以及一个第三近邻[123]或三个第二近邻[222].这说明在密排六方金属(c/a<1.633)中存在空位聚集趋势. 相似文献
9.
运用分子动力学方法及Y.M ish in的EAM势,计算得到铝的空位形成能为0.70 eV,与实验值符合.对6×6×6、7×7×7、8×8×8、9×9×9各失去一个原子的4种含有不同空位浓度的铝系统的弹性系数进行了模拟,并对同一浓度的缺陷晶体在0~15GPa压强范围的弹性系数进行了计算,发现空位浓度的提高降低了铝的弹性系数,而压强的增大使得缺陷系统的弹性系数越接近相同压强完整晶体的弹性系数. 相似文献
10.
溅射法制备的ZnO薄膜的光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的(002)择优取向的多晶ZnO薄膜,在514nm处观察到显著的单色绿光发射峰;且随着氧分压的增加,绿光发射峰的强度减弱.经真空中退火该发射峰增强;而在氧气中退火该发射峰强度减弱.该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明:514nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关,认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁. 相似文献