Analytical Model for the Piecewise Linearly Graded Doping Drift Region in LDMOS

提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%.     

低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器

通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为3×10⁶次.为器件的实用化提供了重要保障.     

电爆炸箔断路开关的理论和实验研究

 采用金属箔电爆炸过程的二维数值计算模型，对含电爆炸金属箔断路开关的电感储能脉冲功率调节系统进行了数值计算。以此为基础，研制出了一种低电感型的电爆炸箔断路开关，并以4μF/75kV脉冲电容器组作为初级能源，13Ω电阻作为负载进行实验研究。研究结果表明：在负载上可获得约250kV，脉宽大于400ns的脉冲电压。     

S-5N全固态重复频率脉冲发生器

 主要介绍S-5N的结构及测试实验结果。S-5N型全固态重复频率脉冲发生器是目前国际上同类源中峰值功率和平均功率均为最大的一台。随负载大小的变化，S-5N脉冲发生器的输出电压为400～600kV，输出电流2～3kA，输出脉冲半高宽40～50ns，单脉冲输出能量40～65J。 S-5N脉冲发生器在300Hz重复频率条件下可连续工作，500Hz重复频率条件下可连续工作3min，平均输出功率高达30kW。     

Frequency and voltage-dependent electrical and dielectric properties of Al/Co-doped PVA/p-Si structures at room temperature

In order to investigate of cobalt-doped interracial polyvinyl alcohol （PVA） layer and interface trap （Dit） effects, A1/p- Si Schottky barrier diodes （SBDs） are fabricated, and their electrical and dielectric properties are investigated at room temperature. The forward and reverse admittance measurements are carded out in the frequency and voltage ranges of 30 kHz-300 kHz and -5 V-6 V, respectively. C-V or er-V plots exhibit two distinct peaks corresponding to inversion and accumulation regions. The first peak is attributed to the existence of Dit, the other to the series resistance （Rs）, and interfacial layer. Both the real and imaginary parts of dielectric constant （er and err） and electric modulus （Mr and Mrr）, loss tangent （tan~）, and AC electrical conductivity （aac） are investigated, each as a function of frequency and applied bias voltage. Each of the M~ versus V and Mrr versus V plots shows a peak and the magnitude of peak increases with the increasing of frequency. Especially due to the Dit and interfacial PVA layer, both capacitance （C） and conductance （G/w） values are strongly affected, which consequently contributes to deviation from both the electrical and dielectric properties of A1/Co-doped PVA/p-Si （MPS） type SBD. In addition, the voltage-dependent profile of Dit is obtained from the low-high frequency capacitance （CLF-CHF） method.     

由季戊四醇合成季戊四硫醇的新方法

以季戊四醇为原料,先合成四对甲苯磺酸季戊四醇酯,然后四对甲苯磺酸季戊四醇酯与硫氰酸钾在N,N-二甲基甲酰胺中加热反应,生成了2,3,7,8-四硫螺[4,4]壬烷,2,3,7,8-四硫螺[4,4]壬烷经四氢化铝锂还原、酸化,得到季戊四硫醇.产物结构经熔点、红外光谱、质子核磁共振谱、拉曼光谱鉴定.     

抗癌新药德氮吡格及其衍生物的定量构效关系

按氢分类的分子电性距离矢量（Hydrogen-association classified molecular electronegafivity-distance vector,H-MEDV）是由4种类型原子间的相互作用得到的一种描述分子二维结构的拓扑描述子.本文根据H-MEDV来研究创新构型抗肿瘤药物德氮吡格（TNBG）及其衍生物活性与其结构之间的关系,利用多元线性回归和逐步回归,建立的4变量模型的相关系数R=0.862.对筛选后建立的模型用留一法交互检验的结果为Rcv=0.713,结果表明模型具有较好的预测能力和稳定性.     

基于开关控制的兴趣实验设计

设计了开关控制实验,专门对常见的开关特点及使用进行探讨,根据开关特点搭建相应的控制电路,用近似于工程项目的形式锻炼学生对开关的灵活应用,激发了学生实验的兴趣和积极性.