基于PLD法制备ZnO:Eu3+,Li+薄膜的发光性质研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(111)衬底上生长了Eu3+、Li+共掺杂的ZnO薄膜。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)谱测试和光致发光(PL)谱分析,重点研究了退火处理对样品结构和发射光谱的影响。XRD谱测试表明,样品具有很好的C轴择优取向。PL谱研究表明,当用325nm光激发样品时,样品的发射光谱仅由ZnO基质的紫外发射和蓝光发射组成,并没有发现稀土Eu3+的特征发光峰;样品的蓝光发射源于电子从Zn填隙形成的浅施主能级到Zn空位形成的浅受主能级跃迁;和真空中退火的样品相比,O2中制备的样品的蓝光发射减弱,紫外发光增强。用395nm的光激发时,退火前样品分别在594nm和613nm处存在两个明显的Eu3+特征发光峰,退火后的样品仅发现Eu3+位于594nm的特征发光峰,这表明,退火处理不利于稀土离子的特征发射,但O2中退火的样品ZnO基质红绿波段发射光谱明显增强。     

Diffuse diffracted features and ordered domain structures in GalnP layers grown by organometallic vapor phase epitaxy

Transmission electron diffraction (TED) and transmission electron microscope (TEM) studies have been made of organometallic vapor phase epitaxial Ga_xIn_1−xP layers (x ≈ 0.5) grown at temperatures in the range 570–690°C to investigate ordering and ordered domain structures. TED and TEM examination shows that the size and morphology of ordered domains depend on the growth temperature. The ordered domains change from a fine rod-like shape to a plate-like shape as the growth temperature increases. The domains are of width 0.6∼2 nm and of length 1∼10 nm. Characteristic diffuse features observed in TED patterns are found to depend on the growth temperature. Extensive computer simulations show a direct correlation between the ordered domain structures and such diffuse features. A possible model is suggested to describe the temperature dependence of the ordered domain structure.     

基于多台阶反射光栅的飞秒脉冲压缩装置

反射式光栅对是一种具有负色散性质的器件,可用于飞秒激光脉冲的压缩和展宽,具有无材料色散的优点。给出了一种基于多台阶反射光栅的脉冲压缩装置。该装置为倍密度光栅结构,由两个周期分别为40μm和20μm的四台阶反射式光栅组成。实验得到的衍射效率可以达到70%以上,输入脉冲经过两个光栅的衍射后会按原路返回,从而达到色散补偿的效果。利用此压缩装置,脉冲宽度为66.8 fs的输入脉冲压缩至接近傅里叶变换极限脉冲,即46.6 fs,由此证明只要多台阶光栅效率足够高,此装置就有可能成为不同于棱镜对进行飞秒脉冲腔内和腔外压缩的另一种途径。     

表面形变精密测试方法的研究

本文在试样的表面制作出等间隔的平行线，作为反射式光栅，在激光束的照射下形成一列线阵分布的衍射光斑，并用线阵电荷耦合器件等组成的系统，测试衍射光斑间距及其变化量，从而高精度（μｍ量级）的为材料表面形变，应变等的测试，开发了一种具有近代光学测量的新技术。     

高空间频率向列相液晶二进制光栅

研究了向列相液晶在空间变化电场作用下的电光特性。模拟了向列相液晶相位光栅的旨向矢分布。随着光栅空间频率的增加条纹电场变得很重要，而且衍射方式也发生了变化。分析了光栅的光学性能并进行了实际测量。     

大剂量Mn离子注入GaAs的性质

在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入，并进行了不同条件的退火. 借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析，经过退火后生成的新相衍射峰增多，根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格. 运用原子力显微镜分析了样品的表面，发现退火后突起的起伏度增加. 磁性分析表明，退火样品的磁化强度增大.     

基于夫琅禾费衍射的激光束散角外场检测

基于圆孔衍射原理,通过对菲涅耳衍射和夫琅禾费衍射特性的对比分析,综合圆孔夫琅禾费衍射光强艾里斑分布特征,提出了一种基于夫琅禾费衍射的激光束散角检测方法,通过布设激光靶对激光远场光斑进行采集、分析、处理,得到激光器关键性能参数束散角的实测值。测量结果表明:采用该方法可获得较高的检测精度,并对影响测量精度的因素进行了分析,该方法可为激光器束散角外场检测提供科学指导。     

菲涅耳衍射的逆运算研究

衍射光场的相位逆运算是有意义并且困难的工作.本文基于菲涅耳衍射计算公式,给出了实现衍射逆运算的方法.并用数字全息理论与技术,结合衍射计算和相位解包裹算法,研究了圆孔衍射在菲涅耳衍射区的光场重构.继而完成了用衍射逆运算来计算衍射孔光场分布的计算机模拟和实验测算工作,结果证明两者是吻合的.     

Ni(Zr)Si薄膜热稳定性及其肖特基势垒二极管的电学特性

提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1．     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。